公开(公告)号：CN103578933A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310338519.6

申请日：2013-08-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.D.迈克尔 ,  S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  D.A.利利恩菲尔德

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。

公开(公告)号：CN103578933B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201310338519.6

申请日：2013-08-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.D.迈克尔 ,  S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  D.A.利利恩菲尔德

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。

公开(公告)号：CN103443924B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201280015829.8

申请日：2012-03-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  J.D.迈克尔 ,  J.A.弗兰黑泽 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  K.S.马托查 ,  W.G.豪金斯

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7802

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。

公开(公告)号：CN103443924A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280015829.8

申请日：2012-03-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  J.D.迈克尔 ,  J.A.弗兰黑泽 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  K.S.马托查 ,  W.G.豪金斯

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7802

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。