具有多层结构的光电子器件

    公开(公告)号:CN101405244A

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200780010041.7

    申请日:2007-03-16

    Abstract: 光电子器件包括由氢硅氧烷和包含式(I)的结构单元的聚芴之间的反应生成的聚合物组合物,见右化学式其中R1和R2独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、烯氧基、炔氧基、取代烯氧基、取代炔氧基、或其组合;Ar1和Ar2独立地为芳基或取代芳基;m和n独立地为0或1;且R1和R2的至少一个是链烯基、炔基、取代链烯基或取代炔基。

    限流装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1146088A

    公开(公告)日:1997-03-26

    申请号:CN96110099.0

    申请日:1996-06-11

    CPC classification number: H01H9/465 H01C7/027 H01C7/12 H01H2033/163 H02H9/026

    Abstract: 一种限流装置,这样地进行非线性选择,即选择其中至少一个薄层比其它层的电阻高。在垂直于被选薄层的方向上对混合材料施加压力。在短路期间,被选薄层的绝热性电阻加热引起迅速热膨胀,它导致在所选薄层处限流装置的局部或全部物理分离,这将对电流产生整个装置的高电阻。因此该限流装置限制了短路电流。当短路被排除时,该限流装置重返其低阻状态,以允许电流正常流过。对于这种短路状态本发明的限流装置可重复使用多次。

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