公开(公告)号：CN1960001B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200610151312.8

申请日：2006-06-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·B·罗兰 ,  A·埃拉塞尔

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/32 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02505 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529

Abstract: 本发明提供一种具有碳化硅外延层的复合结构(16)的半导体器件及其制造方法。该外延层包括至少四个垂直分布的区域并且限定了各自的界面，其中每个区域的特征在于各自的掺杂浓度，其中掺杂浓度在每个界面变化，并且其中至少一种单个杂质在所有的区域中的每个掺杂浓度超过1×1017cm-3。

公开(公告)号：CN1960001A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610151312.8

申请日：2006-06-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·B·罗兰 ,  A·埃拉塞尔

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/32 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02505 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529

Abstract: 本发明提供一种具有碳化硅外延层的复合结构(16)的半导体器件及其制造方法。该外延层包括至少四个垂直分布的区域并且限定了各自的界面，其中每个区域的特征在于各自的掺杂浓度，其中掺杂浓度在每个界面变化，并且其中至少一种单个杂质在所有的区域中的每个掺杂浓度超过1×1017cm－3。