公开(公告)号：CN101687649A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021767.5

申请日：2008-05-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努蒂 ,  J·T·勒曼 ,  L·N·路易斯 ,  M·P·德''伊维恩 ,  V·L·劳 ,  R·舒巴

IPC: C01B33/025

CPC classification number: C01B33/025

Abstract: 描述了一种制造高纯度元素硅的方法。该方法包括如下来制备硅胶组合物的步骤：将至少一种有机硅烷化合物与含水组合物进行反应，来形成硅胶颗粒。然后在该硅胶组合物存在下，将烃物质通过烃裂化反应进行分解，目的是将由该烃物质分解所形成的碳沉积在硅胶组合物颗粒上。将该含碳的硅胶组合物加热到高温来生产元素硅产物。还描述了使用元素硅来制造光电池的相关方法。

公开(公告)号：CN101848862A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880022128.0

申请日：2008-05-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努蒂 ,  J·T·勒曼 ,  V·L·劳 ,  F·D·门迪西诺 ,  R·舒巴 ,  M·P·德"伊维恩 ,  L·N·刘易斯 ,  J·海里奇范多格伦

IPC: C01B33/021 ,  H01L31/02

CPC classification number: C01B33/025 ,  C01B33/023 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种形成高纯度元素硅的方法。该方法包括步骤：加热硅胶组合物或者衍生自硅胶组合物的中间组合物，其中该硅胶组合物或者中间组合物包括至少大约5重量％的碳，并且该加热温度高于大约1550℃。该加热步骤导致了一种包括元素硅的产物的产生。本发明的另一方面涉及一种制造光电池的方法。该方法包括步骤：由如本发明所述而制备的元素硅来形成半导体基底。然后采用另外的步骤来制作光电装置。