公开(公告)号：CN100558733C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200480043609.1

申请日：2004-05-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·D·韦斯特迈尔 ,  M·R·鲍威尔 ,  F·D·门迪西诺

IPC: C07F7/18

Abstract: 本发明涉及一种制备卤代有机烷氧基硅烷的方法，所述方法通过在已加入催化有效量的含钌催化剂和反应促进有效量的给电子芳族化合物助催化剂的反应介质中使卤代烯烃和其中的烷氧基包含至少两个碳原子的烷氧基硅烷反应来实现。该方法尤其可用来制备氯丙基三乙氧基硅烷，该化合物为制备硅烷偶联剂的关键中间体。

公开(公告)号：CN101848862A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880022128.0

申请日：2008-05-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努蒂 ,  J·T·勒曼 ,  V·L·劳 ,  F·D·门迪西诺 ,  R·舒巴 ,  M·P·德"伊维恩 ,  L·N·刘易斯 ,  J·海里奇范多格伦

IPC: C01B33/021 ,  H01L31/02

CPC classification number: C01B33/025 ,  C01B33/023 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种形成高纯度元素硅的方法。该方法包括步骤：加热硅胶组合物或者衍生自硅胶组合物的中间组合物，其中该硅胶组合物或者中间组合物包括至少大约5重量％的碳，并且该加热温度高于大约1550℃。该加热步骤导致了一种包括元素硅的产物的产生。本发明的另一方面涉及一种制造光电池的方法。该方法包括步骤：由如本发明所述而制备的元素硅来形成半导体基底。然后采用另外的步骤来制作光电装置。

公开(公告)号：CN1989143A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200480043609.1

申请日：2004-05-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·D·韦斯特迈尔 ,  M·R·鲍威尔 ,  F·D·门迪西诺

IPC: C07F7/18

Abstract: 本发明涉及一种制备卤代有机烷氧基硅烷的方法，所述方法通过在已加入催化有效量的含钌催化剂和反应促进有效量的给电子芳族化合物助催化剂的反应介质中使卤代烯烃和其中的烷氧基包含至少两个碳原子的烷氧基硅烷反应来实现。该方法尤其可用来制备氯丙基三乙氧基硅烷，该化合物为制备硅烷偶联剂的关键中间体。