公开(公告)号：CN113286914A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202080008896.1

申请日：2020-02-10

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·C·谢弗 ,  D·V·布奇 ,  C·U·哈德威克 ,  斯里坎特·钱德拉杜·科蒂林加姆 ,  K·B·莫雷 ,  L·L·施瓦布

IPC: C23C4/00 ,  C23C4/073 ,  C23C4/11 ,  C23C28/00 ,  C23C28/02 ,  C23C28/04 ,  F01D5/28

Abstract: 本发明公开了一种控制热障涂层(TBC)片材碎片范围的方法和一种热气体路径(HGP)部件。该方法提供了包括具有外表面的主体的HGP部件。控制TBC片材碎片的范围包括在主体的外表面的选定部分之上形成TBC。TBC包括蜂窝图案的多个区段。每个区段由TBC中的一个或多个狭槽限定，并且每个区段具有预定面积，使得TBC片材碎片的范围受到构成TBC片材碎片的多个区段中的每一个区段的预定面积的限制。

公开(公告)号：CN113710628A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080030259.4

申请日：2020-04-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 詹森·罗伯特·帕罗利尼 ,  C·U·哈德威克 ,  斯里坎特·钱德拉杜·科蒂林加姆 ,  詹姆斯·约瑟夫·默里三世

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/83 ,  C04B35/10 ,  C04B35/18 ,  C04B35/52 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B41/87

Abstract: 各种实施方案包括用于使熔体渗透的陶瓷基复合材料(CMC)制品致密化的方法，以及由此形成的致密化熔体渗透的CMC制品。具体实施方案包括一种方法，该方法包括：在浇铸装置的第一区域内提供多孔CMC预成型件；在浇铸装置的第二区域的压头区域内提供熔融致密剂，第一区域和第二区域可操作地连接，并且熔融致密剂包括至少一个硅源；以及向压头内的熔融致密剂施加第一压力，从而用熔融致密剂渗透多孔CMC预成型件内的空隙并形成致密化熔体渗透的CMC制品。另选地，在熔体渗透期间施加两种不同的压力以增加致密化。

公开(公告)号：CN113661271A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080028203.5

申请日：2020-03-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·L·施瓦布 ,  C·U·哈德威克

IPC: C23C24/08 ,  F01D5/00 ,  F01D11/12 ,  F01D21/04 ,  F23R3/00 ,  B23P6/00 ,  C23C26/00 ,  F01D5/28

Abstract: 本发明提供了一种用于保护组件的表面上的涂层的方法。该方法包括涂覆步骤，以用陶瓷浆液涂覆该组件的至少一部分。投影步骤用于用光刻工艺将光的图案投影到该组件上以暴露和固化陶瓷层。去除步骤用于从该组件去除该陶瓷浆液的未暴露部分。加热步骤加热组件以烧结陶瓷层。陶瓷层形成有多个断裂平面。