半导体器件及系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101752367A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910179027.0

    申请日:2009-10-09

    CPC classification number: H01L29/861 H01L29/402

    Abstract: 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括:第一导电类型的第一区域(402);第二导电类型的第二区域(404),邻近于第一区域设置以形成p-n结结构;第二导电类型的电阻修改区域(406);和第二导电类型的场响应修改区域(408),设置在电阻修改区域与第二区域之间,其中,场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。

    半导体器件及系统
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101752367B

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN200910179027.0

    申请日:2009-10-09

    CPC classification number: H01L29/861 H01L29/402

    Abstract: 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括:第一导电类型的第一区域(402);第二导电类型的第二区域(404),邻近于第一区域设置以形成p-n结结构;第二导电类型的电阻修改区域(406);和第二导电类型的场响应修改区域(408),设置在电阻修改区域与第二区域之间,其中,场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。

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