公开(公告)号：CN101752367B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200910179027.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·I·索洛维约夫 ,  H·-Y·查 ,  P·M·桑维克 ,  A·韦尔 ,  J·A·弗龙黑泽

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括：第一导电类型的第一区域(402)；第二导电类型的第二区域(404)，邻近于第一区域设置以形成p-n结结构；第二导电类型的电阻修改区域(406)；和第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置在电阻修改区域与第二区域之间，其中，场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。

公开(公告)号：CN101752367A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910179027.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·I·索洛维约夫 ,  H·-Y·查 ,  P·M·桑维克 ,  A·韦尔 ,  J·A·弗龙黑泽

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括：第一导电类型的第一区域(402)；第二导电类型的第二区域(404)，邻近于第一区域设置以形成p-n结结构；第二导电类型的电阻修改区域(406)；和第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置在电阻修改区域与第二区域之间，其中，场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。