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公开(公告)号：CN119678331A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380054532.0
申请日：2023-07-17
Applicant: 通快激光系统半导体制造有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学设备(10)，该光学设备尤其用于借助测量装置(30)产生EUV辐射(12)。另外，本发明涉及一种测量装置(30)在用于产生EUV辐射(12)的光学设备(10)中的使用。所述测量装置(30)具有至少两个光学元件(36、38)，所述光学元件将近场射束路径与远场射束路径分开，并且不仅将近场平面、还将远场平面成像在目标(34)上。在此，优选以无反射的方式产生远场射束路径，优选通过多次反射、尤其是在所述光学元件(36、38)中的仅一个光学元件中的多次反射产生近场射束路径。
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公开(公告)号：CN117480693A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202180099388.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 通快激光系统半导体制造有限公司
IPC: H01S3/036
Abstract: 本发明涉及一种CO2射束源(1)，该射束源包括：至少一个放电管(3)，在该至少一个放电管中，激光气体用作激光介质；鼓风机(7)，该鼓风机用于在闭合的激光气体回路中藉由至少一个输入元件(8，9，9')将激光气体输入至少一个放电管(3)中以及藉由至少一个输出元件(10，11)将激光气体(4)从至少一个放电管(3)中输出；以及至少一个催化器(18)，该至少一个催化器用于催化在激发激光气体时产生的解离产物的氧化，其中至少一个催化器(18)包括被施加至基板的贵金属纳米颗粒。至少一个催化器(18)在闭合的激光气体回路内沿激光气体的流动方向与至少一个放电管(3)间隔开布置，以与布置在至少一个放电管(3)内相比减少在激发激光气体(4)时在至少一个放电管(3)中形成的降解产物的沉积。至少一个催化器(18)在CO2射束源(1)运行时的温度(T1，T2)为至少60℃、优选至少100℃、特别优选至少150℃。
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公开(公告)号：CN115698809A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202080102151.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 通快激光系统半导体制造有限公司
Abstract: 本发明涉及一种可校准的光学组件(10)，包括光学支架(12)，保持在所述光学支架(12)上的光学元件(14)，保持结构(16)，其中，所述光学支架(12)保持在所述保持结构(16)上的球关节(18)中，其中，设置第一校准装置(20)，用于将所述光学支架(12)相对于所述保持结构(16)绕着第一轴线(24)枢转，其中，设置第二校准装置(22)，用于将所述光学支架(12)相对于所述保持结构(16)绕着第二轴线(26)枢转，其中，所述球关节(18)布置在所述光学元件(14)与所述第一校准装置和第二校准装置(20、22)之间。
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公开(公告)号：CN113597715A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201980094486.0
申请日：2019-03-20
Applicant: 通快激光系统半导体制造有限公司
Inventor： J·米勒
Abstract: 本发明涉及一种用于调整激光射束(1)的方法，包括：借助探测器装置(6)的至少一个优选地点分辨的探测器(6a)来测量在穿过射束成形装置(4)之后激光射束(1)的射束轮廓(15，16)；基于所测量的射束轮廓(15，16)，求取所述激光射束(1)的射束质量特性(D)；以及调节可调设的光学器件(5)，以在所述激光射束(1)进入所述射束成形装置(4)之前改变其至少一个特性；其中，为了调整所述激光射束(1)，根据所求取的射束质量特性(D)尤其是多次调节所述可调设的光学器件(5)，优选直到所述射束质量特性(D)达到预给定的值(DS)。本发明还涉及一种用于提供经调整的激光射束(1)的设备(3a)和一种极紫外辐射产生设备。
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