公开(公告)号：CN102412598A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110411579.7

申请日：2011-12-12

申请人： 辽宁省电力有限公司锦州供电公司 ,  沈阳工程学院

发明人： 张铁岩 ,  李艳龙 ,  张忠林 ,  孙秋野 ,  赵琰 ,  赵丹 ,  邓玮 ,  张相明 ,  杜士鹏

IPC分类号： H02J3/38

CPC分类号： Y02A30/62 ,  Y02E10/563

摘要： 一种小型智能双向自适应光伏并网发电系统，包括光伏电池板矩阵与汇流箱，汇流箱输出端连接有蓄电池控制器、逆变/整流一体化转换器和直流负载控制开关，蓄电池控制器、直流负载控制开关连接蓄电池组、本地直流负载，在转换器输出端接有交流负载控制开关和并网控制器，在交流负载控制开关输出端接有本地交流负载，各输出端接有转换模块，电压和电流采样转换模块接有信号调制电路，在信号调制电路的输出端接有DSP处理器，各控制端连接PWM接口。一种小型智能双向自适应光伏并网发电系统的控制方法，包括控制参数准备、发电和供电控制。优点是：可靠性好，安装、运行、维护方便，稳定性高，适用性强，太阳能利用率高。

公开(公告)号：CN102412598B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201110411579.7

申请日：2011-12-12

申请人： 辽宁省电力有限公司锦州供电公司 ,  国家电网公司 ,  沈阳工程学院

发明人： 张铁岩 ,  李艳龙 ,  张忠林 ,  孙秋野 ,  赵琰 ,  赵丹 ,  邓玮 ,  张相明 ,  杜士鹏

IPC分类号： H02J3/38

CPC分类号： Y02A30/62 ,  Y02E10/563

摘要： 一种小型智能双向自适应光伏并网发电系统，包括光伏电池板矩阵与汇流箱，汇流箱输出端连接有蓄电池控制器、逆变/整流一体化转换器和直流负载控制开关，蓄电池控制器、直流负载控制开关连接蓄电池组、本地直流负载，在转换器输出端接有交流负载控制开关和并网控制器，在交流负载控制开关输出端接有本地交流负载，各输出端接有转换模块，电压和电流采样转换模块接有信号调制电路，在信号调制电路的输出端接有DSP处理器，各控制端连接PWM接口。一种小型智能双向自适应光伏并网发电系统的控制方法，包括控制参数准备、发电和供电控制。优点是：可靠性好，安装、运行、维护方便，稳定性高，适用性强，太阳能利用率高。

公开(公告)号：CN202340124U

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201120515222.9

申请日：2011-12-12

申请人： 辽宁省电力有限公司锦州供电公司 ,  沈阳工程学院

发明人： 张铁岩 ,  李艳龙 ,  张忠林 ,  孙秋野 ,  赵琰 ,  赵丹 ,  邓玮 ,  张相明 ,  杜士鹏

IPC分类号： H02J3/38

CPC分类号： Y02E10/563 ,  Y02E10/58

摘要： 一种小型智能双向自适应光伏并网发电系统，包括光伏电池板矩阵与汇流箱，汇流箱输出端连接有蓄电池控制器、逆变/整流一体化转换器和直流负载控制开关，蓄电池控制器、直流负载控制开关连接蓄电池组、本地直流负载，在转换器输出端接有交流负载控制开关和并网控制器，在交流负载控制开关输出端接有本地交流负载，各输出端接有转换模块，电压和电流采样转换模块接有信号调制电路，在信号调制电路的输出端接有DSP处理器，各控制端连接PWM接口。一种小型智能双向自适应光伏并网发电系统的控制方法，包括控制参数准备、运行光伏电池输出直流电的控制的子程序。优点是：可靠性好，安装、运行、维护方便，稳定性高，适用性强，光的用率高。

公开(公告)号：CN103334089B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310298983.7

申请日：2013-07-17

申请人： 沈阳工程学院

发明人： 张东 ,  张铁岩 ,  鞠振河 ,  王晓文 ,  曹福毅 ,  张晓慧 ,  张宏丽 ,  孙勇 ,  李昱材 ,  杜士鹏 ,  赵琰 ,  王宝石 ,  衣云龙 ,  金月新 ,  张相明 ,  王健 ,  刘莉莹 ,  王刚 ,  郭瑞 ,  王帅杰

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44

摘要： 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h，得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。

公开(公告)号：CN103334089A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310298983.7

申请日：2013-07-17

申请人： 沈阳工程学院

发明人： 张东 ,  张铁岩 ,  鞠振河 ,  王晓文 ,  曹福毅 ,  张晓慧 ,  张宏丽 ,  孙勇 ,  李昱材 ,  杜士鹏 ,  赵琰 ,  王宝石 ,  衣云龙 ,  金月新 ,  张相明 ,  王健 ,  刘莉莹 ,  王刚 ,  郭瑞 ,  王帅杰

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44

摘要： 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h,得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。