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公开(公告)号：CN101587939A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810100506.4
申请日：2008-05-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L51/40 , H01L21/82 , H01L27/32 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管与像素结构及其制作方法以及显示面板。该有机薄膜晶体管的制作方法，其包括在基材上形成图案化绝缘层，且图案化绝缘层中具有开口。于绝缘层的开口内形成栅极。形成栅绝缘层于栅极上。利用印刷步骤，以于栅绝缘层上形成导电材料层，其中栅绝缘层与导电材料层其中之一为亲油或亲水特性且另一为亲水或亲油特性，因而导电材料层会自然地分离至栅绝缘层的两侧，而构成源极以及漏极。于源极与漏极之间的栅绝缘层上形成有源层。
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公开(公告)号：CN100477165C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610003077.X
申请日：2006-02-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/82 , H01L21/8234
Abstract: 一种有机电子装置的制造方法，包括下列步骤：提供软性基板；在软性基板上制造多个有机元件；在软性基板上制造图案化间隙层；以及设置盖板于图案化间隙层上，并以密封件密封软性基板与盖板的边缘。其中，图案化间隙层在软性基板与盖板之间维持间隙。
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公开(公告)号：CN101131934A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610121470.9
申请日：2006-08-24
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种垂直薄膜晶体管的制作方法，利用挡板光掩模来制作垂直结构元件。此方法包括下列步骤。首先，形成金属层作为凸肋与栅极层。然后，将挡板光掩模设置于栅极层上。之后，直接以挡板光掩模为掩模，形成源极层、有机半导体层与漏极层，如此可以简化工艺。因为在形成有机半导体层后，没有使用到光刻蚀刻技术，所以可以避免有机半导体层受到损害，使垂直薄膜晶体管具有良好的元件特性。
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公开(公告)号：CN101017782A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003073.1
申请日：2006-02-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤：首先，于基板上形成栅极；之后，于基板上形成栅绝缘层，以覆盖此栅极；接着，于栅绝缘层上形成源极/漏极层，此源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层；继之，于源极/漏极层上形成绝缘层，此绝缘层具有开口，以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层与部分的源极/漏极层；最后，于绝缘层之开口中形成通道层，使通道层与源极/漏极层电连接，且通道层由上述开口中暴露出来。
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公开(公告)号：CN100465726C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610019866.2
申请日：2006-03-01
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/133
Abstract: 一种反射式液晶显示面板，其适于藉由一偏振光进行数据的写入及/或抹除。反射式液晶显示面板包括一第一基板、一第二基板、一液晶层、一半穿透半反射膜、一延迟片以及一偏振片。第二基板配置于第一基板上方。液晶层位于第一基板与第二基板之间，且液晶层中掺杂有一光配向材料。半穿透半反射膜配置于第一基板下方，而半穿透半反射膜适于让偏振光穿透，以改变掺杂有光配向材料之液晶层的排列，且半穿透半反射膜适于反射外界光源。延迟片配置于半穿透半反射膜与第一基板之间。偏振片配置于第二基板上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100458502C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510123897.8
申请日：2005-11-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G02F1/133
Abstract: 本发明提供一种反射式液晶显示组件，包括一第一基板、一第二基板及一具有胆固醇相液晶的液晶层。本发明利用第一基板及第二基板中至少一个相对于前述液晶层的表面结构的设计，使得胆固醇相液晶的螺旋轴在前述液晶层中各区域依需求呈不同方向的倾斜，以加大反射光频谱谱宽，并利于产生宽广视角。
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公开(公告)号：CN101029992A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610019866.2
申请日：2006-03-01
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/133
Abstract: 一种反射式液晶显示面板，其适于藉由一偏振光进行数据的写入及/或抹除。反射式液晶显示面板包括一第一基板、一第二基板、一液晶层、一半穿透半反射膜、一延迟片以及一偏振片。第二基板配置于第一基板上方。液晶层位于第一基板与第二基板之间，且液晶层中掺杂有一光配向材料。半穿透半反射膜配置于第一基板下方，而半穿透半反射膜适于让偏振光穿透，以改变掺杂有光配向材料之液晶层的排列，且半穿透半反射膜适于反射外界光源。延迟片配置于半穿透半反射膜与第一基板之间。偏振片配置于第二基板上。
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公开(公告)号：CN101017795A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003077.X
申请日：2006-02-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/82 , H01L21/8234
Abstract: 一种有机电子装置的制造方法，包括下列步骤：提供软性基板；在软性基板上制造多个有机元件；在软性基板上制造图案化间隙层；以及设置盖板于图案化间隙层上，并以密封件密封软性基板与盖板的边缘。其中，图案化间隙层在软性基板与盖板之间维持间隙。
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公开(公告)号：CN100505186C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610121470.9
申请日：2006-08-24
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种垂直薄膜晶体管的制作方法，利用挡板光掩模来制作垂直结构元件。此方法包括下列步骤。首先，形成金属层作为凸肋与栅极层。然后，将挡板光掩模设置于栅极层上。之后，直接以挡板光掩模为掩模，形成源极层、有机半导体层与漏极层，如此可以简化工艺。因为在形成有机半导体层后，没有使用到光刻蚀刻技术，所以可以避免有机半导体层受到损害，使垂直薄膜晶体管具有良好的元件特性。
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公开(公告)号：CN100477129C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610003073.1
申请日：2006-02-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤：首先，于基板上形成栅极；之后，于基板上形成栅绝缘层，以覆盖此栅极；接着，于栅绝缘层上形成源极/漏极层，此源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层；继之，于源极/漏极层上形成绝缘层，此绝缘层具有开口，以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层与部分的源极/漏极层；最后，于绝缘层之开口中形成通道层，使通道层与源极/漏极层电连接，且通道层由上述开口中暴露出来。
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