公开(公告)号：CN119678229A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380013802.3

申请日：2023-08-22

Applicant: 西铁城精密器件株式会社 ,  西铁城时计株式会社

Inventor： 宫本光教 ,  久保利哉

IPC: H01F10/16 ,  H01F1/00 ,  H01F41/16

Abstract: 本发明提供一种在使直线偏振光从磁性体薄膜的法线方向入射时，对外部磁场的灵敏度高的各向同性颗粒薄膜。各向同性颗粒薄膜(1)是在电介质基体(2)中分散有强磁性纳米粒子(3)的各向同性颗粒薄膜(1)，强磁性纳米粒子(3)由Co构成，强磁性纳米粒子(3)的平均粒径为5.0nm以上，强磁性纳米粒子(3)的粒子体积浓度为1vol％以上且20vol％以下，强磁性纳米粒子(3)的磁偶极子相互作用能量为4.6E‑28J以上且2.0E‑26J以下。

公开(公告)号：CN116457679A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077747.5

申请日：2021-09-10

Applicant: 西铁城精密器件株式会社 ,  西铁城时计株式会社

Inventor： 宫本光教 ,  久保利哉

IPC: G01R33/02

Abstract: 磁场传感器头具有：光纤；GI光纤，其一端与光纤光学连接；磁性膜，其与GI光纤的另一端接合；反射膜，其接合到磁性膜的与接合到GI光纤的面相反的面；以及支承构件，其接合到反射膜的与接合到磁性膜的面相反的面。