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公开(公告)号：CN117651996A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280048844.6
申请日：2022-05-10
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明提供了一种非易失性存储装置，其包括一个或多个存储器管芯组件，每个存储器管芯组件包括位于该存储器管芯组件中的推理电路。该推理电路被配置为使用预训练模型(从该非易失性存储装置外部的源预训练地接收并存储在非易失性存储器中的专用块中)与描述该非易失性存储装置的当前操作的一个或多个度量，以便预测该非易失性存储装置中的缺陷并在该非易失性存储装置中由于该缺陷而发生不可恢复的故障之前执行对策以保存主机数据。
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公开(公告)号：CN117337469A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202280036242.9
申请日：2022-05-03
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： G11C29/00
摘要： 描述了用于在诸如编程或擦除等多平面操作中检测并隔离存储器单元的缺陷块的装置及技术。在一个方面，对于每个平面中的一个块，编程操作在多平面模式中开始。如果在已执行触发数量的编程循环时少于所有块完成编程，则在单平面模式中一次一个地对一个或多个未通过的块进一步编程。如果当已执行最大允许数量的编程循环时该一个或多个未通过的块未完成编程，则它们被标记为坏块并且禁止进一步操作。在另一方面，当已执行触发数量的编程循环时，一个或多个未通过的块经受字线泄漏检测操作。
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公开(公告)号：CN113948138A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010692333.0
申请日：2020-07-17
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 3D NAND中出于数据安全目的的即时且永久的自毁方法。描述了执行不可逆地防止存取存储器单元的集合的操作的设备和技术。该操作为NAND串的选择栅极晶体管提供强擦除偏压。擦除偏压引发了在选择栅极晶体管中永久增大它们的阈值电压的现象。这防止存取存储器单元，诸如编程或读取操作。该操作可以涉及一个或多个擦除‑验证迭代。在每个擦除‑验证迭代中，诸如通过充电NAND串的沟道且将选择栅极晶体管的控制栅极电压控制在较低电平，来向选择栅极晶体管施加擦除偏压，从而造成相对较高的沟道到控制栅极电压。
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公开(公告)号：CN113821159B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010697412.0
申请日：2020-07-20
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 描述了用于进行一组存储器单元的擦除操作的设备和技术，其中擦除操作包含全部字线擦除阶段以节省时间，之后是奇偶字线擦除阶段以改善数据保留。当存储器单元通过第一验证测试时，可以触发到奇偶字线擦除阶段的过渡，第一验证测试指示存储器单元的阈值电压已经下降到第一电压以下。或者，当已经进行了阈值数目的擦除验证迭代时，可以触发过渡。当存储器单元通过第二验证测试时，擦除操作可以完成，第二验证测试指示存储器单元的阈值电压已经下降到小于第一电压的第二电压以下。
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公开(公告)号：CN114464232A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011237818.7
申请日：2020-11-09
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明提供了用于检测存储器设备中的短路并且具体地检测字线与沟道短路以及在NAND串顶部处的位线触点之间的短路的装置和技术。短路检测操作包括沟道预清洁阶段，该沟道预清洁阶段对非短路NAND串的沟道放电，同时使短路NAND串的位线升压，之后是位线预充电阶段，该位线预充电阶段使非短路NAND串的位线升压，之后是位线放电阶段，该位线放电阶段使非短路NAND串的位线放电，之后是感测阶段，该感测阶段将短路NAND串识别为处于编程状态或非导电状态。
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公开(公告)号：CN114121092A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010883853.X
申请日：2020-08-28
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 描述了一种设备和技术，用于通过在编程期间施加周期性低字线偏置而增大编程期间的NAND串的沟道升压。在一方面中，低通过电压VpassL被施加于指定的字线，以在沟道升压电平中产生周期性低点或下降。正常通过电压Vpass被施加于其他未选择的字线。低点对沟道中的电子朝向所选择的字线移动产生屏障，以防止电子下拉与所选择的字线相邻的沟道区域处的电压。VpassL可以被施加于所选择的字线的源极和/或漏极侧处的指定的字线。控制电路可以配置有实现该技术的各种参数。
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公开(公告)号：CN113821159A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010697412.0
申请日：2020-07-20
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 描述了用于进行一组存储器单元的擦除操作的设备和技术，其中擦除操作包含全部字线擦除阶段以节省时间，之后是奇偶字线擦除阶段以改善数据保留。当存储器单元通过第一验证测试时，可以触发到奇偶字线擦除阶段的过渡，第一验证测试指示存储器单元的阈值电压已经下降到第一电压以下。或者，当已经进行了阈值数目的擦除验证迭代时，可以触发过渡。当存储器单元通过第二验证测试时，擦除操作可以完成，第二验证测试指示存储器单元的阈值电压已经下降到小于第一电压的第二电压以下。
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公开(公告)号：CN113450856B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010228197.X
申请日：2020-03-24
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 描述了用于确定存储器单的块在该块的擦除操作期间是否为慢擦除的设备和技术。擦除操作在指定的擦除‑验证迭代中执行附加的验证测试，以检查块的存储器单元的阈值电压分布的上尾的位置。如果上尾太高，则指示慢擦除块，即使在可允许数量的擦除‑验证迭代内成功完成擦除操作。可以使用前置命令来启动附加的验证测试，该前置命令可以与擦除命令一起发送到存储器芯片。或者，它可以通过存储芯片上的装置参数启动。
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公开(公告)号：CN113759186B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010794320.4
申请日：2020-08-10
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 提供了用于测试电荷泵的技术和设备。测试电路在测试周期中检测由电荷泵提供的电压信号中的电压下降。使用比较器来将电压信号与下分的、延迟的版本的信号比较。计数电路连接到比较器的输出，以确定测试周期中的下降的数目。诸如片上状态机的控制电路将下降的数目与下降的最大可允许数目进行比较，以设定电荷泵的通过/失败状态。控制电路可以基于正在测试的电荷泵配置测试的各种参数，包含分压器的比例和下降的最大可允许数目。
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