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公开(公告)号：CN106601672B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201611072640.9
申请日：2016-11-28
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H01L21/78 , H01L23/544
摘要： 本发明一种消除薄膜电路划切毛刺的方法。通过使用制作好的含有正面对准标记的正面掩膜版，先在基板的正面制作出所需的电路图形和正面对准标记；再使用制作好含有背面对准标记的反面掩膜版与基板上的正面对准标记进行高精度图形套刻，在基板的背面制作出与正面图形中切割标记高度吻合的，没有金属膜层覆盖的切割沟槽；最后利用砂轮划片机沿着基板正面的切割标记进行划切，得到单片电路产品。本发明的优点在于，采用双面对准套刻的新颖方式，制作出的背面图形切割沟槽不覆盖金属膜层，因此在砂轮划片过程中，避免了刀具与金属层的摩擦接触，有效消除了金属卷边和毛刺的产生，省略了手工修边操作，提高了薄膜电路的划切质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN105274530A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510594064.3
申请日：2015-09-17
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： C23F1/28
摘要： 一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方及腐蚀方法，配方包括氢氟酸、硝酸和去离子水；各组成部分的体积比如下：氢氟酸：硝酸：去离子水＝(0.8-1.2)：(2.5-3.5)：2。利用本发明配方腐蚀的多层膜电路镍层在40×显微镜下观察，线条侧壁光滑、陡直，无金属膜层内缩，无锯齿状凸起或内凹；腐蚀前后对比膜层附着力无明显变化，无膜层起翘、脱落等现象；经上百次腐蚀验证，线条质量良好，腐蚀过程容易控制，腐蚀工艺性较为稳定。
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公开(公告)号：CN112218437B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011119616.2
申请日：2020-10-19
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H05K3/06
摘要： 本发明涉及一种薄膜电路图形电镀连线的去除方法，属于薄膜微带电路工艺领域；步骤一、用电镀连线将光刻版图中所有不相连的电路图形连成一个整体；在薄膜电路光刻版图上设置n个定位圆；步骤二、按照薄膜电路光刻版图上的电镀连线位置，对实际薄膜电路上对应位置添加电镀连线；步骤三、设置电镀连线的激光刻蚀区域；步骤四、将薄膜电路光刻版图中所有电镀连线和所有定位圆刻蚀成通孔；获得辅助刻蚀版图；步骤五、将辅助刻蚀版图对准放置在实际薄膜电路的上方，采用紫外激光器，按照步骤三中的刻蚀规则对实际薄膜电路中电镀连线进行激光刻蚀，去除电镀连线；本发明解决了厚金层薄膜电路制作中图形电镀连线去除的可靠性和效率问题。
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公开(公告)号：CN112218437A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011119616.2
申请日：2020-10-19
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H05K3/06
摘要： 本发明涉及一种薄膜电路图形电镀连线的去除方法，属于薄膜微带电路工艺领域；步骤一、用电镀连线将光刻版图中所有不相连的电路图形连成一个整体；在薄膜电路光刻版图上设置n个定位圆；步骤二、按照薄膜电路光刻版图上的电镀连线位置，对实际薄膜电路上对应位置添加电镀连线；步骤三、设置电镀连线的激光刻蚀区域；步骤四、将薄膜电路光刻版图中所有电镀连线和所有定位圆刻蚀成通孔；获得辅助刻蚀版图；步骤五、将辅助刻蚀版图对准放置在实际薄膜电路的上方，采用紫外激光器，按照步骤三中的刻蚀规则对实际薄膜电路中电镀连线进行激光刻蚀，去除电镀连线；本发明解决了厚金层薄膜电路制作中图形电镀连线去除的可靠性和效率问题。
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公开(公告)号：CN106601672A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611072640.9
申请日：2016-11-28
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H01L21/78 , H01L23/544
CPC分类号： H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2223/54453
摘要： 本发明一种消除薄膜电路划切毛刺的方法。通过使用制作好的含有正面对准标记的正面掩膜版，先在基板的正面制作出所需的电路图形和正面对准标记；再使用制作好含有背面对准标记的反面掩膜版与基板上的正面对准标记进行高精度图形套刻，在基板的背面制作出与正面图形中切割标记高度吻合的，没有金属膜层覆盖的切割沟槽；最后利用砂轮划片机沿着基板正面的切割标记进行划切，得到单片电路产品。本发明的优点在于，采用双面对准套刻的新颖方式，制作出的背面图形切割沟槽不覆盖金属膜层，因此在砂轮划片过程中，避免了刀具与金属层的摩擦接触，有效消除了金属卷边和毛刺的产生，省略了手工修边操作，提高了薄膜电路的划切质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN105274530B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510594064.3
申请日：2015-09-17
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： C23F1/28
摘要： 一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方及腐蚀方法，配方包括氢氟酸、硝酸和去离子水；各组成部分的体积比如下：氢氟酸：硝酸：去离子水＝(0.8‑1.2)：(2.5‑3.5)：2。利用本发明配方腐蚀的多层膜电路镍层在40×显微镜下观察，线条侧壁光滑、陡直，无金属膜层内缩，无锯齿状凸起或内凹；腐蚀前后对比膜层附着力无明显变化，无膜层起翘、脱落等现象；经上百次腐蚀验证，线条质量良好，腐蚀过程容易控制，腐蚀工艺性较为稳定。
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公开(公告)号：CN110610850B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201910872879.1
申请日：2019-09-16
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种玻璃基板激光制孔后的清洗方法，首先通过将激光制孔后的玻璃基板使用研磨剂进行研磨，去除孔周边粘附的固体残渣；再通过将玻璃基板浸入分析纯的丙酮溶液中进行超声清洗去除有机物；之后通过将玻璃基板浸入分析纯的乙醇溶液中进行超声清洗以完成清洗和脱水；随后向上提拉玻璃基板，待玻璃基板脱水干燥后，使用氧气进行等离子清洗去除微小颗粒；最终将玻璃基板在氩气氛围中进行等离子清洗，从而去除玻璃表面的氧化后的各种颗粒并激活表面，保证玻璃基板上表面沉积金属膜层的可靠性。本发明结合了物理清洗、湿法清洗和等离子清洗的特点，保证了清洗的有效性并有利于玻璃基板上溅射金属膜层的附着力。
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公开(公告)号：CN110610850A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910872879.1
申请日：2019-09-16
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种玻璃基板激光制孔后的清洗方法，首先通过将激光制孔后的玻璃基板使用研磨剂进行研磨，去除孔周边粘附的固体残渣；再通过将玻璃基板浸入分析纯的丙酮溶液中进行超声清洗去除有机物；之后通过将玻璃基板浸入分析纯的乙醇溶液中进行超声清洗以完成清洗和脱水；随后向上提拉玻璃基板，待玻璃基板脱水干燥后，使用氧气进行等离子清洗去除微小颗粒；最终将玻璃基板在氩气氛围中进行等离子清洗，从而去除玻璃表面的氧化后的各种颗粒并激活表面，保证玻璃基板上表面沉积金属膜层的可靠性。本发明结合了物理清洗、湿法清洗和等离子清洗的特点，保证了清洗的有效性并有利于玻璃基板上溅射金属膜层的附着力。
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