公开(公告)号：CN107708329B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201710771986.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 吴言沛 ,  董军荣 ,  王宏 ,  韩良 ,  马贞 ,  韩婷 ,  梁亚萍 ,  王辉 ,  王慧

IPC: H05K3/34 ,  B23K1/00 ,  B23K101/42

Abstract: 本发明涉及一种一次回流同时实现BGA(球栅阵列)植球和组装的方法，属于元器件装联技术领域。本发明提出的方法可提高焊接接头的可靠性，传统的植球方法器件侧焊点需经历两次回流，回流焊接过程中焊料与器件侧Cu焊盘形成的金属间化合物会增厚；由于金属间化合物的脆性，过厚的金属间化合物层会导致接头性能降低；器件侧一次回流可减少金属间化合物的厚度，从而提高器件侧焊点的可靠性。

公开(公告)号：CN107708329A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710771986.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 吴言沛 ,  董军荣 ,  王宏 ,  韩良 ,  马贞 ,  韩婷 ,  梁亚萍 ,  王辉 ,  王慧

IPC: H05K3/34 ,  B23K1/00 ,  B23K101/42

CPC classification number: H05K3/34 ,  B23K1/00 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K2101/42 ,  H05K3/3494

Abstract: 本发明涉及一种一次回流同时实现BGA(球栅阵列)植球和组装的方法，属于元器件装联技术领域。本发明提出的方法可提高焊接接头的可靠性，传统的植球方法器件侧焊点需经历两次回流，回流焊接过程中焊料与器件侧Cu焊盘形成的金属间化合物会增厚；由于金属间化合物的脆性，过厚的金属间化合物层会导致接头性能降低；器件侧一次回流可减少金属间化合物的厚度，从而提高器件侧焊点的可靠性。