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公开(公告)号：CN108767490B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201810317717.7
申请日：2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学 , 上海宇航系统工程研究所
IPC: H01Q15/16
Abstract: 本发明属于卫星通信设备技术领域，公开了一种桁架支撑柔性肋抛物柱面可展开天线装置，由可展开支撑装置A支撑反射膜面构成；可展开支撑装置A包括一维可展开桁架、展开控制索、肋板和肋板调节索；肋板左右对称铰接在一维可展开桁架侧边上；反射膜面贴敷于肋板上侧呈抛物线型的边上，形成抛物柱面；展开控制索分别布置在一维可展开桁架的上表面和下底面，对一维可展开桁架的展开进行控制；肋板调节索布置在每块肋板两侧，起调节肋板展开位置和增强装置整体刚度的作用。本发明将一维桁架机构与柔性肋板结构相结合，桁架机构可收拢展开，柔性肋板可缠绕收拢、弹性展开，装置收拢后占据空间较小，收纳体积明显减小，整体重量显著降低。
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公开(公告)号：CN108649314B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201810446344.3
申请日：2018-05-11
Applicant: 西安电子科技大学 , 上海宇航系统工程研究所
Abstract: 本发明属于天线零部件或与天线结合的装置技术领域，公开了一种新型双层剪式抛物柱面可展开桁架天线装置，由多个双层剪式铰接机构组成；相邻的双层剪式铰接机构通过双头铰链、滑动铰链、三头铰链和四头铰链相互连接构成一个封闭的抛物柱面；每个双层剪式铰接机构由两根竖杆、两根长斜杆、两根短斜杆、四个双头铰链、四个滑动铰链、两根弹簧组成；相邻的两个双层剪式铰接机构共用一根竖杆、一个双头铰链或者三头铰链或者四头铰链、一个滑动铰链、一个弹簧。本发明几何稳定性较高、刚度强、运动机构与控制系统简单，收拢后体积小，收纳率高，模块扩展性强、装配件简单，并且可以分别在轴向或长度方向展开；满足空间大口径天线的使用要求。
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公开(公告)号：CN108767490A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810317717.7
申请日：2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学 , 上海宇航系统工程研究所
IPC: H01Q15/16
CPC classification number: H01Q15/161
Abstract: 本发明属于卫星通信设备技术领域，公开了一种桁架支撑柔性肋抛物柱面可展开天线装置，由可展开支撑装置A支撑反射膜面构成；可展开支撑装置A包括一维可展开桁架、展开控制索、肋板和肋板调节索；肋板左右对称铰接在一维可展开桁架侧边上；反射膜面贴敷于肋板上侧呈抛物线型的边上，形成抛物柱面；展开控制索分别布置在一维可展开桁架的上表面和下底面，对一维可展开桁架的展开进行控制；肋板调节索布置在每块肋板两侧，起调节肋板展开位置和增强装置整体刚度的作用。本发明将一维桁架机构与柔性肋板结构相结合，桁架机构可收拢展开，柔性肋板可缠绕收拢、弹性展开，装置收拢后占据空间较小，收纳体积明显减小，整体重量显著降低。
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公开(公告)号：CN108649314A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810446344.3
申请日：2018-05-11
Applicant: 西安电子科技大学 , 上海宇航系统工程研究所
Abstract: 本发明属于天线零部件或与天线结合的装置技术领域，公开了一种新型双层剪式抛物柱面可展开桁架天线装置，由多个双层剪式铰接机构组成；相邻的双层剪式铰接机构通过双头铰链、滑动铰链、三头铰链和四头铰链相互连接构成一个封闭的抛物柱面；每个双层剪式铰接机构由两根竖杆、两根长斜杆、两根短斜杆、四个双头铰链、四个滑动铰链、两根弹簧组成；相邻的两个双层剪式铰接机构共用一根竖杆、一个双头铰链或者三头铰链或者四头铰链、一个滑动铰链、一个弹簧。本发明几何稳定性较高、刚度强、运动机构与控制系统简单，收拢后体积小，收纳率高，模块扩展性强、装配件简单，并且可以分别在轴向或长度方向展开；满足空间大口径天线的使用要求。
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公开(公告)号：CN117224836A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311028669.7
申请日：2023-08-16
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Inventor： 王备 , 江山 , 克劳斯·安德斯·尤特 , 周赟磊 , 保宏
Abstract: 本发明提供了一种人工耳蜗的植入电极结构制备方法、植入电极结构及设备。本发明提供的人工耳蜗的植入电极结构制备方法，包括：在移植玻璃表面上涂覆水溶性牺牲材料，在水溶性牺牲材料上喷涂硅基粘胶，在硅基粘胶上放置预设电极；在溶性牺牲材料上添加硅胶，使硅胶将预设电极完全覆盖，形成硅胶层，在硅胶层远离移植玻璃的一面上放置第二掩膜层；烧蚀过孔并切割掩膜图案，形成沉积孔和沉积槽，沉积可拉伸导体；移除第二掩膜层，重新添加硅胶，重新添加的硅胶与硅胶层形成封装结构，对封装结构进行切割并溶解水溶性牺牲材料，得到植入电极结构。本发明的方法，引入可拉伸导体降低了植入电极的刚度，同时可以降低植入电极的制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117213671A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311131847.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开一种超灵敏压力传感器及其制备方法，所述压力传感器包括上电极、复合高介电层以及下电极，所述复合高介电层由第一介电层和第二介电层耦合形成，所述下电极、第二介电层、第一介电层和上电极依次层叠设置，所述第一介电层的介电常数为正数，所述第二介电层的介电常数为负数，且所述第一介电层和所述第二介电层的介电常数的绝对值之差小于预设值。本发明解决了现有技术中不能在极端温度环境下进行高灵敏度压力传感的技术问题。
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公开(公告)号：CN117213354A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311131893.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开一种近零电容传感器及其制备方法，所述近零电容传感器包括上电极、介电层和下电极，所述下电极、介电层和上电极依次层叠设置，所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％。本发明所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％，在施加应变或者压力时，导电填料排布方式发生改变，近零电容值处于临界态不稳定，近零电容值很快跃迁到1nf左右，实现了1000以上灵敏度的超灵敏感知，进而突破了原有灵敏度的限制，对应变和压力的响应都极其敏感，灵敏度极高。
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公开(公告)号：CN117135841A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311028670.X
申请日：2023-08-16
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Inventor： 江山 , 克劳斯·安德斯·尤特 , 周赟磊 , 王备 , 保宏
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明提供了一种多层电子电路制作方法。本发明提供的多层电子电路制作方法，包括：将第一元器件放置于在支撑体上形成的第一液体预制层上，利用第二液体预制层将第一元器件封装；根据第一掩膜层和第二液体预制层，形成第一沉积孔和第一沉积槽，在第一沉积孔和第一沉积槽中形成第一液体金属线路，移除第一掩膜层，利用第三液体预制层将第一元器件以及第一液体金属线路封装；根据第二掩膜层和第三液体预制层，形成第二液体金属线路；移除第二掩膜层，将第二元器件放置于第二液体金属线路的引脚上，利用第四液体预制层将第二元器件和第二液体金属线路封装。本发明的多层电子电路制作方法，可以制作得到高度可拉伸并且高度集成的多层电子电路。
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公开(公告)号：CN117470085A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311131837.5
申请日：2023-09-04
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开一种了超灵敏应变传感器及其制备方法，所述超灵敏应变传感器包括上电极、介电层和下电极，所述下电极、介电层和上电极依次层叠设置，所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的离子液体组成，所述柔性基底相对于所述离子液体的质量分数为10～75wt％。本发明所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的离子液体组成，所述柔性基底相对于所述离子液体的质量分数为10～75wt％，经过拉伸后，厚度不仅改变了电容，也改变了离子液体的排布方式，进而改变了离子谐振，实现了应变超灵敏感知，因此该种超灵敏应变传感器灵敏度可突破理论上线，超过100，是当前超灵敏应变传感器灵敏度的100倍以上，同时该种传感器具备超过200％的大量程。
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公开(公告)号：CN117213705A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311131886.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明公开一种近零电容传感器及其制备方法，所述近零电容传感器包括上电极、介电层和下电极，所述下电极、介电层和上电极依次层叠设置，所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％。本发明所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％，在施加应变或者压力时，导电填料排布方式发生改变，近零电容值处于临界态不稳定，近零电容值很快跃迁到1nf左右，实现了1000以上灵敏度的超灵敏感知，进而突破了原有灵敏度的限制，对应变和压力的响应都极其敏感，灵敏度极高。
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