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公开(公告)号:CN116243365A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202211611093.2
申请日:2022-12-14
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: G01T1/24 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C14/30 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C16/511 , C23C28/00
摘要: 本发明涉及一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法,金刚石核探测器包括:金刚石、第一绝缘介质层、第一欧姆接触电极、第二绝缘介质层和第二欧姆接触电极,第一欧姆接触电极位于金刚石的第一表面上,第一绝缘介质层包围第一欧姆接触电极,且第一欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第一绝缘介质层以形成场板结构;第二欧姆接触电极位于金刚石的第二表面上,第二绝缘介质层包围第二欧姆接触电极,且第二欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第二绝缘介质层以形成场板结构。本发明实施例通过在器件表面非电极区域插入绝缘介质层并形成电极场板结构,提高了探测器的工作耐压,降低了器件的漏电。
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公开(公告)号:CN116053349A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202211646063.5
申请日:2022-12-20
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: H01L31/08 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0224
摘要: 本发明涉及一种高输出功率的金刚石光导开关及其制备方法,包括:金刚石层;介质层,介质层包括多个介质子层,所有介质子层阵列排布在金刚石层上,相邻两个介质子层之间的间距大于零;第一欧姆接触电极,第一欧姆接触电极位于未被介质层覆盖的金刚石层上,且每个介质子层部分上表面覆盖有第一欧姆接触电极形成场板结构,其中,覆盖在介质子层上的第一欧姆接触电极与该介质子层同端设置于金刚石层上的第一欧姆接触电极连续排布;第二欧姆接触电极,第二欧姆接触电极位于金刚石层的下表面。本发明的光导开关可获得较大的受光面积从而降低器件导通电阻、提升金刚石光导开关的输出功率。
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