公开(公告)号：CN113097335B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202110241681.0

申请日：2021-03-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  景文龙 ,  张一驰 ,  孙浩 ,  王博 ,  韩钊 ,  张峻岷 ,  胡辉勇 ,  王斌 ,  舒斌

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种波导耦合等离增强型Ge基红外光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括SOI衬底，SOI衬底自下而上依次包括Si衬底层、SiO2层和顶部Si层；其中，顶部Si层上表面一侧设有Ge吸收层，Ge吸收层与顶部Si层相接触的一面设有若干金属光栅结构；顶部Si层和Ge吸收层上均设有金属电极，以与Ge吸收层、SOI衬底形成Ge基探测器主体；顶部Si层的另一侧还形成有波导结构，波导结构与探测器主体通过一锥形模斑转换结构连接。本发明采用波导结构和金属光栅实现了Ge吸收层的本征吸收以及金属光栅中热电子吸收的双吸收机制，扩大了吸收范围，提高了探测效率，同时扩展了探测器的探测范围。

公开(公告)号：CN113097335A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110241681.0

申请日：2021-03-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  景文龙 ,  张一驰 ,  孙浩 ,  王博 ,  韩钊 ,  张峻岷 ,  胡辉勇 ,  王斌 ,  舒斌

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种波导耦合等离增强型Ge基红外光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括SOI衬底，SOI衬底自下而上依次包括Si衬底层、SiO2层和顶部Si层；其中，顶部Si层上表面一侧设有Ge吸收层，Ge吸收层与顶部Si层相接触的一面设有若干金属光栅结构；顶部Si层和Ge吸收层上均设有金属电极，以与Ge吸收层、SOI衬底形成Ge基探测器主体；顶部Si层的另一侧还形成有波导结构，波导结构与探测器主体通过一锥形模斑转换结构连接。本发明采用波导结构和金属光栅实现了Ge吸收层的本征吸收以及金属光栅中热电子吸收的双吸收机制，扩大了吸收范围，提高了探测效率，同时扩展了探测器的探测范围。