公开(公告)号：CN118431262A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410360177.6

申请日：2024-03-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  李晨 ,  安瑕 ,  陶鸿昌 ,  张涛 ,  薛军帅 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B31/22

Abstract: 本发明公开了一种基于Tl离子注入的p沟道GaN异质结构及制备方法，自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、非故意掺杂GaN层和p型GaN层：在p型GaN层上做了Tl离子注入，通过注入Tl离子在GaN层中引入应变之后实现晶体场分裂的逆转，通过引入应变改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，在发生能带反转后，价带最大值处的空穴波函数将从具有主导的N‑px,y特征转变为N‑pz主导态，提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率。本发明通过在GaN中引入应力改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，从而提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率，进而提高器件工作频率和输出功率及可靠性。