公开(公告)号：CN116956802A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310678057.6

申请日：2023-06-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  姚广海 ,  易楚朋 ,  卢阳 ,  赵子越 ,  冯婷 ,  刘昕 ,  周瑞琪 ,  姚天舜

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/367 ,  G06F111/04

Abstract: 本发明公开了一种宽带放大器芯片的匹配网络设计方法，包括：获取各个频点的晶体管特性等高线图，并选择合适的回退值，以获得晶体管的最优阻抗区域；对每一频点的最优阻抗区域采用多边形的形式近似代替，构建近似最优阻抗区域；基于设计指标结合近似最优阻抗区域构建匹配网络的复合约束条件；设置权重参数，同时选择合适的匹配网络拓扑结构和元件值计算复合约束条件的值，并根据计算结果对匹配网络和元件值进行优化；基于优化结果对设计的匹配网络进行仿真，若结果不满足设计要求，则返回重新调整权重参数，直至仿真结果满足设计要求。该方法可以精确控制阻抗轨迹，最大化宽带放大器的各项性能；且可以有效提升计算速度并简化实现过程。

公开(公告)号：CN115630603A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211221909.0

申请日：2022-10-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵子越 ,  马晓华 ,  卢阳 ,  易楚朋 ,  王语晨 ,  刘文良 ,  周瑞琪

IPC: G06F30/392 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种基于并联子器件的GaN Fin‑like HEMT建模方法，通过获取GaN Fin‑like HEMT的结构信息从而确定器件包含的栅下区域；确定本征参数对应的本征电路结构；将刻蚀区域的本征电路结构与非刻蚀区域的本征电路结构进行并联，以构建GaN Fin‑like HEMT的本征等效电路模型，从而提升模型对器件本征参数非线性特性的表征精度，之后对本征等效电路模型进行简化，以提高电路分析效率，利用简化模型分析GaN Fin‑like HEMT的本征参数，获得分析结果。因此本发明实现对GaN Fin‑like HEMT的本征参数的准确拟合，提供给研发人员从而降低研发周期以及投入成本。