公开(公告)号：CN114373679A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111508350.5

申请日：2021-12-10

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 马晓华 ,  宓珉瀚 ,  龚灿 ,  周雨威 ,  卢怡玮 ,  张濛 ,  侯斌

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法，方法包括：在衬底层上制备方块电阻异质结结构；去除欧姆再生长区域内的缓冲层和预设深度的势垒层；在图形化阵列区域内所暴露的势垒层上生长n+GaN层；去除自终止刻蚀区域内的n+GaN层；在隔离区域注入等离子体；在n+GaN层上淀积金属，以制备源电极和漏电极；在n+GaN层、隔离体和势垒层上制备钝化层；在处于栅极区域的势垒层上制备淀积金属。本发明可以明显降低器件的导通电阻。本发明的欧姆再生长区域图案化处理增加了器件欧姆区域金属与再生长材料之间的接触面积，将更进一步的减小欧姆接触电阻，降低器件寄生电阻，提升HEMT器件的射频功率性能。

公开(公告)号：CN117728142A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311745727.8

申请日：2023-12-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  冯婷 ,  卢怡玮 ,  刘昕 ,  卢阳 ,  易楚朋

IPC: H01P5/16 ,  H01P1/20

Abstract: 本发明涉及一种基于耦合线的宽带带通滤波功分器结构，包括：第一支路、第二支路和若干隔离网络，其中，第一支路的输入端口和第二支路的输入端口均连接滤波功分器的输入端口，第一支路的输出端口作为滤波功分器的第一输出端口，第二支路的输出端口作为滤波功分器的第二输出端口；第一支路和第二支路均由N段对角线终端开路的耦合线级联形成，且在第一支路和第二支路的同级耦合线之间通过隔离网络连接，其中，N为大于或等于1的正整数。该宽带带通滤波功分器结构可以获得宽带带通滤波器响应，还具有DC‑Block功能和全频段隔离特性，有助于减少无线通信系统的功能器件数目从而提高系统集成度，能够降低互连插损和失配影响从而提高系统的可靠性。