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公开(公告)号：CN116456211A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310439775.8
申请日：2023-04-23
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N25/78 , H04N25/616 , H04N25/76
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的列总线信号自适应加速电路，包括采样电容CS和采样电阻RS构成的采样电路，比较器(COMP)，像素尾电流源。CS上极板接列总线，下极板接RS和比较器的反相输入端，RS的下端接参考电压VREF，比较器的同相端接VREF‑VOS，比较器的输出接尾电流控制信号DISC。当像素输出积分信号时，可自适应工作加快列总线信号的建立速度，提高超大阵列CMOS图像传感器的帧率。
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公开(公告)号：CN113791658A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110986634.9
申请日：2021-08-26
Applicant: 西安理工大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种可实现快速瞬态响应LDO加速电路，包括跨导放大器OTA、共射放大电路、控制LDO功率管栅极的充电支路及控制LDO功率管栅极的放电支路；当LDO输出端电压发生过冲或下冲且超过一定阈值时，此时加速电路导通，通过对LDO栅极VG充放电来实现LDO输出端电压VOUT过冲或下冲电压减小并快速趋于稳定。解决了传统LDO结构输出端负载瞬态切换时，存在过冲电压及下冲电压值过大，稳定时间长的问题。
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公开(公告)号：CN113285714B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110363227.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 西安理工大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了采用区间细斜坡的并行两步式单斜模数转换电路及方法，具体为：通过引入粗细量化斜坡Ramp_f和Ramp_c，设置两个基准电压VRef‑1/2LSB和Vref，设置两个比较器，通过开关网络的控制，实现粗量化与细量化的并行处理。在粗量化与细量化并行时保证了量化的稳定和准确。由于粗细量化通过并行方法来实现，本发明的量化速度对比传统两步式单斜模数转换器有了显著的提升。
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公开(公告)号：CN113922668B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202111043509.0
申请日：2021-09-07
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于DC‑DC转换器的单粒子瞬态加固电路，包括OTA，OTA的正向端依次连接采样电容CS、采样开关S1，OTA的反向端连接EA的输出端，OTA的输出与充放电偏置电流电路连接。本发明公开了采用一种应用于DC‑DC转换器的单粒子瞬态加固电路进行单粒子瞬态加固的方法，本发明解决了DC‑DC转换器电压环路中EA输出节点由于ASET影响导致输出电压VOUT纹波电压增大或输出电压VOUT波动的问题。
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公开(公告)号：CN114449194A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210103272.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378 , H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种并行两步式单斜率模数转换电路及其工作方法，包括比较器CMP1和CMP2、开关电容控制网络、保持电容C1和C2、第一校正电路和第二校正电路；第一校正电路包括电容C3、开关S4和两路开关S5，比较器CMP1的负端输入接电容C3的上极板以及开关S4，开关S4接VIN信号，电容C3的下极板接两路开关S5，开关S5的两路均接VREF；第二校正电路包括电容C4、开关S6和两路开关S7，比较器CMP2的负端输入接电容C4的上极板以及开关S6，开关S6接VIN信号。电容的下极板接两路开关S7，两路开关均接VREF‑1/2LSB。消除了实际量化过程中非理想因素对输出结果造成的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113922668A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111043509.0
申请日：2021-09-07
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于DC‑DC转换器的单粒子瞬态加固电路，包括OTA，OTA的正向端依次连接采样电容CS、采样开关S1，OTA的反向端连接EA的输出端，OTA的输出与充放电偏置电流电路连接。本发明公开了采用一种应用于DC‑DC转换器的单粒子瞬态加固电路进行单粒子瞬态加固的方法，本发明解决了DC‑DC转换器电压环路中EA输出节点由于ASET影响导致输出电压VOUT纹波电压增大或输出电压VOUT波动的问题。
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公开(公告)号：CN115278130B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210907663.6
申请日：2022-07-29
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N25/78 , H04N25/772
Abstract: 本发明公开了一种用于超大规模图像传感器的模数转换电路及量化方法，包括列级读出电路、复用型C‑DAC和列级布置的多个SAR ADC模块；由复用型C‑DAC产生整个模数转换过程中需要的参考电平且保持不变，SAR ADC模块通过逻辑电路控制多路加法器从复用型C‑DAC得到需要的参考电平，实现了SAR ADC中C‑DAC的复用，在不牺牲大面积的情况下，完成高速高精度列读取进程。本发明将C‑DAC从SAR ADC结构中提取出来，仅仅通过一个复用型C‑DAC提供所有SAR ADC需要的参考电平，并利用SAR ADC内部的逻辑控制电路完成逐次逼近的过程，实现了C‑DAC的复用，大大减小了芯片整体面积，并降低了列级功耗，为列级SAR ADC在超大规模CMOS图像传感器上的应用提供了可行的解决方案。
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公开(公告)号：CN116761088A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310709478.0
申请日：2023-06-15
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N25/589 , H04N25/53
Abstract: 本发明公开了一种片上自适应调整转移管栅压的高动态像素实现方法，具体包括如下过程：首先通过行驱动部分产生采样像素1*N阵列中每个像素中TX管需要的时序，使得采样像素1*N阵列中每个像素单元的曝光时间依次增加，将采样像素1*N阵列在一条列线上输出，通过采样电路只将信号电平采样在电容C1中，并将采样出来的结果输入给转移管栅压的控制电路，将转移管栅压的控制电路的输出结果传输给像素阵列N*N中像素转移管的栅极MTX，至此将像素的曝光过程分为长短不同的三段，从而实现在像素内完成长短不同的三段曝光信号融合。采用该方法能够在像素内部一个曝光周期内完成长短曝光信号的融合。
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公开(公告)号：CN113791658B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110986634.9
申请日：2021-08-26
Applicant: 西安理工大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种可实现快速瞬态响应LDO加速电路，包括跨导放大器OTA、共射放大电路、控制LDO功率管栅极的充电支路及控制LDO功率管栅极的放电支路；当LDO输出端电压发生过冲或下冲且超过一定阈值时，此时加速电路导通，通过对LDO栅极VG充放电来实现LDO输出端电压VOUT过冲或下冲电压减小并快速趋于稳定。解决了传统LDO结构输出端负载瞬态切换时，存在过冲电压及下冲电压值过大，稳定时间长的问题。
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公开(公告)号：CN113489927B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110608343.6
申请日：2021-06-01
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的高速列线读出电路，包括像素单元，像素单元输出端连接像素面阵的列线，像素面阵的列线还连接电流源Ibias、采样电容CS的正极板、输出跨导放大器OTA的输出端，采样电容CS负极板分别连接采样电阻RS一端和输出跨导放大器OTA的输入正相端，电流源Ibias、采样电阻RS另一端和输出跨导放大器OTA的输入负相端均接地；克服了现有的大面阵CMOS图像传感器的高速读出电路需要引入较大寄生的问题。
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