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公开(公告)号：CN114449194A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210103272.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378 , H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种并行两步式单斜率模数转换电路及其工作方法，包括比较器CMP1和CMP2、开关电容控制网络、保持电容C1和C2、第一校正电路和第二校正电路；第一校正电路包括电容C3、开关S4和两路开关S5，比较器CMP1的负端输入接电容C3的上极板以及开关S4，开关S4接VIN信号，电容C3的下极板接两路开关S5，开关S5的两路均接VREF；第二校正电路包括电容C4、开关S6和两路开关S7，比较器CMP2的负端输入接电容C4的上极板以及开关S6，开关S6接VIN信号。电容的下极板接两路开关S7，两路开关均接VREF‑1/2LSB。消除了实际量化过程中非理想因素对输出结果造成的影响。
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公开(公告)号：CN115278130B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210907663.6
申请日：2022-07-29
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N25/78 , H04N25/772
Abstract: 本发明公开了一种用于超大规模图像传感器的模数转换电路及量化方法，包括列级读出电路、复用型C‑DAC和列级布置的多个SAR ADC模块；由复用型C‑DAC产生整个模数转换过程中需要的参考电平且保持不变，SAR ADC模块通过逻辑电路控制多路加法器从复用型C‑DAC得到需要的参考电平，实现了SAR ADC中C‑DAC的复用，在不牺牲大面积的情况下，完成高速高精度列读取进程。本发明将C‑DAC从SAR ADC结构中提取出来，仅仅通过一个复用型C‑DAC提供所有SAR ADC需要的参考电平，并利用SAR ADC内部的逻辑控制电路完成逐次逼近的过程，实现了C‑DAC的复用，大大减小了芯片整体面积，并降低了列级功耗，为列级SAR ADC在超大规模CMOS图像传感器上的应用提供了可行的解决方案。
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公开(公告)号：CN114222082B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210103305.X
申请日：2022-01-27
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高动态CMOS图像传感器及其工作方法，包括可编程控制器、斜坡发生器、TX驱动级、像素单元和列线；可编程控制器输出端连接斜坡发生器输入端；斜坡发生器的输出端与TX驱动级的电源接口相连；TX驱动级的输入为TX逻辑控制信号；TX驱动级的输出与像素中TX管的栅极连接；像素单元包括转移开关M1和光电二极管PD，转移开关M1漏极连接光电二极管PD负极，转移开关M1采用MOS管，斜坡发生器的输出端连接像素单元的转移开关M1的栅极，像素单元连接有RST信号，像素单元的输出端连接列线。提高了CMOS图像传感器的动态范围。
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公开(公告)号：CN114650380A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210278320.8
申请日：2022-03-21
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种基于时间差值量化的两步式单斜模数转换电路及方法，两步式单斜模数转换电路包括像素输出的采样与放大电路，用于采用像素电荷转移阶段的电位识别实现粗量化；带有TDC的数字逻辑控制电路，用于在A/D转换的最后一个时钟周期内产生一段时间差值，并在该时钟周期内增加一段TDC转换完成针对时间差值的量化；第一加法器，用于将细量化计数与针对时间差值的量化结果相减，得到细量化结果；以及第二加法器，用于将粗量化和细量化的结果相加，获得最终的量化结果。本发明将ADC与TDC技术结合，在提升精度的同时不增加其他的时间成本，实现了高速高精度的细量化过程，将单斜式模数转换电路的量化时间消耗大大压缩。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115499607B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202211140896.4
申请日：2022-09-20
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N25/772 , H04N25/78 , G04F10/00 , H03M1/50
Abstract: 本发明公开了一种基于差动斜坡与TDC的两步式高速ADC电路，包括差动形式的单斜式ADC电路和TDC电路，差动斜坡电路的输出与TDC电路的输出通过累加器输出OUT1和OUT2，通过二选一数据选择器MUX判决出整体电路模数转换的结果OUT。本发明相较于传统两步式ADC而言，具有更大的速度优势。为高帧频大面阵的CMOS图像传感器实现提供了有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN115499607A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211140896.4
申请日：2022-09-20
Applicant: 西安理工大学
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378 , G04F10/00 , H03M1/50
Abstract: 本发明公开了一种基于差动斜坡与TDC的两步式高速ADC电路，包括差动形式的单斜式ADC电路和TDC电路，差动斜坡电路的输出与TDC电路的输出通过累加器输出OUT1和OUT2，通过二选一数据选择器MUX判决出整体电路模数转换的结果OUT。本发明相较于传统两步式ADC而言，具有更大的速度优势。为高帧频大面阵的CMOS图像传感器实现提供了有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN115333542A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210947881.2
申请日：2022-08-08
Applicant: 西安理工大学
IPC: H03M1/56
Abstract: 本发明公开了一种基于单斜式与电平编码TDC的两步式高速ADC电路，其特征在于：包括单斜式数字逻辑ADC电路和时间数字转换TDC电路，单斜式数字逻辑电路的输出与时间数字转换TDC电路的输出通过累加器输出整体电路模数转换的结果OUT。本发明中TDC采用循环式电平编码方式，能够自动向单斜计数逻辑完成进位功能，并有效的兼容数字相关双采样技术，将两次带有非理想因素的量化结果做差，得到更精准的量化结果。
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公开(公告)号：CN113922636A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110850601.1
申请日：2021-07-27
Applicant: 西安理工大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种用于DC‑DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路，包括运算放大器，运算放大器输出端通过源跟随器M2连接电阻R1、MOS管M4漏极，电阻R1连接采样单元一端，采样单元另一端接地，运算放大器正极输入端口接入斜坡补偿电压VSLOPE，运算放大器负极输入端口连接MOS管M4漏极，MOS管M4栅极接入电流偏置电压VBIAS2，MOS管M4源极接地；动态调整了采样单元中MOS管M3的导通电阻的大小，保证使用斜坡补偿技术后的采样电流与未使用斜坡补偿时的采样电流一致，保证电感峰值电流不会因为斜坡补偿而下降，消除斜坡补偿对电感电流的影响，消除斜坡补偿对带载能力的影响，提升DC‑DC转换器带载能力。
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公开(公告)号：CN113922636B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110850601.1
申请日：2021-07-27
Applicant: 西安理工大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种用于DC‑DC转换器的大带载能力斜坡补偿电路，包括运算放大器，运算放大器输出端通过源跟随器M2连接电阻R1、MOS管M4漏极，电阻R1连接采样单元一端，采样单元另一端接地，运算放大器正极输入端口接入斜坡补偿电压VSLOPE，运算放大器负极输入端口连接MOS管M4漏极，MOS管M4栅极接入电流偏置电压VBIAS2，MOS管M4源极接地；动态调整了采样单元中MOS管M3的导通电阻的大小，保证使用斜坡补偿技术后的采样电流与未使用斜坡补偿时的采样电流一致，保证电感峰值电流不会因为斜坡补偿而下降，消除斜坡补偿对电感电流的影响，消除斜坡补偿对带载能力的影响，提升DC‑DC转换器带载能力。
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