公开(公告)号：CN119272507A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411340537.2

申请日：2024-09-25

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  孙传鸿 ,  张研眉 ,  刘江凡 ,  杨媛 ,  余宁梅 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/11 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了2.5D Chiplet结构物理场耦合特性分析方法，具体包括如下步骤：步骤1，对2.5D Chiplet结构添加固体传热物理场接口、固体力学物理场接口和一个热膨胀物理场接口；步骤2，对固体传热物理场接口添加边界条件，获取2.5D Chiplet结构的温度分布情况；步骤3，求解2.5D Chiplet结构的形变和应力分布情况；步骤4，通过膨胀物理场接口将固体传热物理场接口和固体力学物理场接口进行耦合；步骤5，对2.5D Chiplet结构进行网格划分，获取该结构的温度、应力和形变分布情况。本发明能够准确预测封装芯片上的温度场和力场分布，便于封装结构的热分析。