公开(公告)号：CN118630446A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410892836.0

申请日：2024-07-04

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  赵阳阳 ,  杨媛 ,  余宁梅 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC: H01P1/208

Abstract: 本发明基于金属微扰结构扰动的双频带基片集成波导滤波器，包括上下平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL和下层RDL之间设有硅衬底，硅衬底中分别布设有第一谐振腔和第二谐振腔，第一谐振腔内设有金属微扰结构B和金属微扰结构C；第二谐振腔内设有金属微扰结构A和金属微扰结构D，上层RDL的两端分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。该滤波器可以有效解决无线通信中频谱拥挤及频谱无法有效利用的问题，并适用于雷达系统和多通道通信应用。

公开(公告)号：CN113162550B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202110254983.1

申请日：2021-03-09

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  文炳成 ,  陈佳俊 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC: H03B5/12 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明公开了一种基于TSV变容管的压控振荡器，包括可变电感M1，PMOS1源极S1、衬底B1、PMOS2源极S2和衬底B2相连形成电源接入端，PMOS1漏极D1与PMOS2栅极G2、M1输入端Min1、C1输出端Cout1、MOS3漏极D3和MOS4栅极G4相连，PMOS2漏极D2与PMOS1栅极G1、M1输出端Mout1、C2输出端Cout2、MOS4漏极D4和MOS3栅极G3相连，MOS3源极S3、衬底B3、MOS4源极S4和衬底B4为接地端，C1输入端Cin1和C2输入端Cin2相连组成电容控制电源接入端，MOS5栅极G5、衬底B5分别为电感控制电源接入端和接地端。

公开(公告)号：CN116613499A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310629942.5

申请日：2023-05-31

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  张定熙 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  尹湘坤 ,  朱樟明

IPC: H01P5/16 ,  H03H7/42

Abstract: 本发明公开了一种基于TSV的双频段的功分器巴伦，包括从上至下依次设置的上RDL二氧化硅隔离层、硅衬底及下RDL二氧化硅隔离层，下RDL二氧化硅隔离层内设置有RDL耦合器，RDL耦合器通过连接功分器输出与耦合器输入的TSV连接两个对称设置的功分器输入电容，每个功分器输入电容分别并联连接一组TSV互感电感和一个功分器GND连接电容，互感电感与功分器输入电容均连接输入信号抽头。该功分器巴伦结构在双频工作条件下减少了巴伦面积并具有更高的集成度。

公开(公告)号：CN116365201A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310454104.9

申请日：2023-04-25

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  寇济麟 ,  刘江凡 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC: H01P1/208

Abstract: 本发明公开了一种盒型五阶基片集成波导交叉耦合滤波器，包括平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL和下层RDL之间设有硅衬底，硅衬底内分布有五个由TSV构成的谐振腔，五个谐振腔为对称结构，上层RDL的中心处开设有“工”字型槽，上层RDL的同一侧端部分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。本发明盒型交叉耦合拓扑结构的方式，来实现五阶基片集成波导滤波器，并用两边排有金属化孔的共面波导作为馈线来减少基片厚度对集成带来的影响。

公开(公告)号：CN115831940A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211703728.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  张定熙 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种应用于毫米波波段的三维集成全对称变压器巴伦，包括沿从上至下设置的两层二氧化硅隔离层，位于上层的二氧化硅隔离层上分布有顶层RDL金属布线圈A和顶层RDL金属布线圈B，位于下层的二氧化硅隔离层上分布有一组底层RDL金属布线圈，该底层RDL金属布线圈位于顶层RDL金属布线圈A和顶层RDL金属布线圈B之间，且顶层RDL金属布线圈A和顶层RDL金属布线圈B与底层RDL金属布线圈之间通过TSV圆柱连接。本发明设计的巴伦结构能够有效减少巴伦的体积，同时提高变压器巴伦的平衡性。

公开(公告)号：CN110112223B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN201910419518.1

申请日：2019-05-20

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  文炳成 ,  余宁梅

IPC: H01L29/93 ,  H01L29/94 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管，包括P型硅衬底，硅衬底上开设有通孔，通孔中从内向外依次设置有金属柱和介质层，金属柱引出有端子a，靠近通孔端部的介质层与硅衬底之间设置有P型参杂区，P型参杂区的端面上引出有端子b。本发明还公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管的制备方法，本发明基于TSV的积累型MOS变容二极管相比平面积累型MOS变容二极管具有更高的品质因数、更低的寄生电阻、更低的相位噪声和更好的调谐线性度。

公开(公告)号：CN113285192B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202110357179.6

申请日：2021-04-01

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  张凯 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC: H01P1/209

Abstract: 本发明公开了一种基于TSV的并联开路短截线型宽带带阻滤波器，包括金属线RDL，金属线RDL上连接有谐振器，谐振器为若干个TSV圆柱，TSV圆柱均与金属线RDL互联，金属线RDL的两端分别设置有RDL输入端和RDL输出端，在减少滤波器的面积后并且拥有的集成度，提高了滤波器的独立性。

公开(公告)号：CN113809053A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110942987.9

申请日：2021-08-17

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  李瑞奇 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC: H01L23/64 ,  H03H7/01

Abstract: 本发明公开了一种基于TSV的利用并联RC的紧凑型功分器，包括上下平行设置的上二氧化硅层和下二氧化硅层，上二氧化硅层和下二氧化硅层之间填充有硅衬底；上二氧化硅层上依次并联设置有输入端补偿电容C1、输入端隔离电容C2及隔离电阻R2，输入端补偿电容C1、输入端隔离电容C2之间并联有由TSV排布绕制成的TSV电感L1和由TSV排布绕制成的TSV电感L2；TSV电感L1和TSV电感L2沿竖直方向设置在硅衬底中。本发明为十分之一波长传输，提高了功分器的集成度和性能。

公开(公告)号：CN113488753A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110665933.2

申请日：2021-06-16

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  张凯 ,  余宁梅 ,  杨媛 ,  朱樟明 ,  尹湘坤

IPC: H01P1/205

Abstract: 本发明公开了基于TSV应用于毫米波波段的终端短路抽头交指滤波器，包括硅衬底，硅衬底的上方设有二氧化硅层，硅衬底的下方设有接地金属板；二氧化硅层上布设有金属线RDL，硅衬底内布设有TSV圆柱，TSV圆柱分别与金属线RDL和接地金属板连接。本发明在减少滤波器的面积后并且拥有较高的集成度，能够实现W波段下滤波，同时提高了滤波器的独立性。

公开(公告)号：CN111313134B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202010132808.0

申请日：2020-02-29

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 王凤娟 ,  柯磊 ,  余宁梅

IPC: H01P1/208

Abstract: 本发明公开了一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，其特征在于，包括RDL制作滤波器耦合结构，相邻两层滤波器耦合结构之间采用TSV进行信号传输。本发明的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器是三维结构。该滤波器将两个完全相同的平面RDL结构的发夹滤波器通过TSV信号传输，实现耦合的增强，从而得到更好的滤波性能。