公开(公告)号：CN106478105B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201610850564.3

申请日：2016-09-26

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  张南龙 ,  尹萍 ,  邓宇宸 ,  曾德军 ,  张亚明

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/65

Abstract: 一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法，包括碳源选择、将不同活性的碳源与碳化硅粉混合，加入酚醛树脂或PVA机械混料、粉料成型、渗硅烧结、热处理消除残硅、最后对所获得的碳化硅制品进行打磨处理，去除表面冷凝的碳硅和平整毛糙表面，得到合格的碳化硅成品；本发明解决了现有的反应烧结碳化硅陶瓷材料存在的由于残留硅含量较多而限制了高温、腐蚀环境、高温差环境中应用的问题，能够制备出低残硅高致密度的碳化硅陶瓷材料，大幅提高了反应烧结碳化硅材料的导热性能、高温力学性能、杨氏模量、耐腐蚀性能、高温导电性能等，大大拓展了反应烧结碳化硅材料的应用范围。

公开(公告)号：CN107337453A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710471111.4

申请日：2017-06-20

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王波 ,  赵杉 ,  丁克 ,  邓宇宸 ,  张南龙 ,  侯宝强 ,  杨建锋

IPC: C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/565 ,  C04B35/64 ,  C04B38/00 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B38/0074

Abstract: 本发明公开了一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，包括以下步骤：1)将SiO粉末置于坩埚底部，按照质量百分比将70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的纳米炭黑的混合粉末模压成型后形成生坯，将生坯置于坩埚中部，再将坩埚放在多功能烧结炉中，通入氩气，在1650℃～1800℃保温1～3小时进行气固反应，获得预烧结体；2)将预烧结体放入感应烧结炉中，在氩气气氛下升温至1900℃～2100℃重结晶处理1～3小时即可获得多孔SiC陶瓷。本发明获得的碳化硅多孔陶瓷可广泛应用于柴油车尾气颗粒物过滤器或催化剂载体等领域。

公开(公告)号：CN106478105A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610850564.3

申请日：2016-09-26

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  张南龙 ,  尹萍 ,  邓宇宸 ,  曾德军 ,  张亚明

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/65

CPC classification number: C04B35/573 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

Abstract: 一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法，包括碳源选择、将不同活性的碳源与碳化硅粉混合，加入酚醛树脂或PVA机械混料、粉料成型、渗硅烧结、热处理消除残硅、最后对所获得的碳化硅制品进行打磨处理，去除表面冷凝的碳硅和平整毛糙表面，得到合格的碳化硅成品；本发明解决了现有的反应烧结碳化硅陶瓷材料存在的由于残留硅含量较多而限制了高温、腐蚀环境、高温差环境中应用的问题，能够制备出低残硅高致密度的碳化硅陶瓷材料，大幅提高了反应烧结碳化硅材料的导热性能、高温力学性能、杨氏模量、耐腐蚀性能、高温导电性能等，大大拓展了反应烧结碳化硅材料的应用范围。

公开(公告)号：CN104894648A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510256980.6

申请日：2015-05-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  张辉 ,  张亚明 ,  邓宇宸 ,  吴桐 ,  何志龙 ,  王波

IPC: C30B29/60 ,  C30B29/34 ,  C30B28/02

Abstract: 一种棒状二硅酸锂晶体的制备方法，先将碳酸锂和二氧化硅粉体湿法球磨、烘干、过筛；将干燥过筛后的原料混合粉与Na2SO4采用氧化锆球湿法球磨混料，干燥过筛；将晶种生粉松装入氧化铝坩埚中烧结，最后冷却至室温得到的晶种取出，在60℃的去离子水中搅拌，使其充分溶解，经过过滤、5vol.％HF腐蚀1-3h，去离子水清洗干净，烘干得到Li2Si2O5晶体；本发明得到的棒状二硅酸锂晶体长径比可控、纯度高，可作为增强相和增韧相加入复合材料基体中，具有改善复合材料的力学性能的特点。

公开(公告)号：CN104892000A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510257006.1

申请日：2015-05-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王波 ,  张辉 ,  张亚明 ,  郭海霞 ,  曾德军 ,  邓宇宸 ,  杨建锋

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/19 ,  C04B35/645

Abstract: 一种零膨胀LAS/SiC复合材料的制备方法，先粉末烧结法制备LAS粉体，再采用粒径匹配的SiC粉体作为零膨胀LAS/SiC复合材料的调节剂，根据比例计算对材料热膨胀系数进行宏观调控；最后采用热压烧结方法、后期加工处理制备零膨胀LAS/SiC复合材料，本发明所得的复合材料致密化程度高，基体在高温下发生软化有利于致密化的进行，再加上外加压力加快了这种致密化过程，能够迫使无压条件无法排出的气孔在应力作用下消除，均化组织，降低气孔率，提高材料的强度。

公开(公告)号：CN104894648B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201510256980.6

申请日：2015-05-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  张辉 ,  张亚明 ,  邓宇宸 ,  吴桐 ,  何志龙 ,  王波

IPC: C30B29/60 ,  C30B29/34 ,  C30B28/02

Abstract: 一种棒状二硅酸锂晶体的制备方法，先将碳酸锂和二氧化硅粉体湿法球磨、烘干、过筛；将干燥过筛后的原料混合粉与Na2SO4采用氧化锆球湿法球磨混料，干燥过筛；将晶种生粉松装入氧化铝坩埚中烧结，最后冷却至室温得到的晶种取出，在60℃的去离子水中搅拌，使其充分溶解，经过过滤、5vol.％HF腐蚀1‑3h，去离子水清洗干净，烘干得到Li2Si2O5晶体；本发明得到的棒状二硅酸锂晶体长径比可控、纯度高，可作为增强相和增韧相加入复合材料基体中，具有改善复合材料的力学性能的特点。

公开(公告)号：CN104891999A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510256935.0

申请日：2015-05-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王波 ,  张辉 ,  张亚明 ,  邓宇宸 ,  曾德军 ,  郭海霞 ,  杨建锋

IPC: C04B35/577 ,  C04B38/00 ,  C04B35/19 ,  C04B35/64

Abstract: 一种近零膨胀多孔LAS/SiC复合材料的制备方法，采用粒径匹配的SiC粉体作为近零膨胀LAS/SiC复合材料的调节剂，根据比例计算对材料热膨胀系数进行宏观调控；得到LAS/SiC复合粉体，最后采用微波烧结制备具有近零膨胀特性的多孔LAS/SiC复合材料，本发明的优点为：微波烧结是通过电磁场直接对物体内部加热，而且加热是整体性的、均匀的，具有很高的热效率、升温速率快、烧结速率高，坯体在烧结过程中直接跳过致密化过程而成为烧结体，大大缩短了烧结时间，可以大幅度的节能；更重要的是SiC颗粒本身具有高的导热率和优异的微波吸收能力(微波介电特性)，与LAS混合均匀保证在烧结过程中坯体热量分布均匀，形成的孔隙孔径尺寸和分布都比较均匀。