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公开(公告)号：CN102088289B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010579378.3
申请日：2010-12-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声LC VCO(基于电感-电容谐振的压控振荡器)，其尾电流源由工作在线性区的P-MOSFET管M6和工作在饱和区的P-MOSFET管M8串联而成，P-MOSFET管M6与P-MOSFET管M8的栅极接在一起，电流镜由另两个P-MOSFET管M5、M7对P-MOSFET管M6、P-MOSFET管M8构成，电流通过电流镜偏置到VCO中。由于线性区工作的P-MOSFET管M6的漏源电压很小，从而，M6管的引入对VCO输出信号的最大摆幅影响较小。此外，M6管的引入使M8管的漏端(即A点)看进去的等效电阻变大，从而谐振腔的损耗减小，使该LC VCO可以实现更低的相位噪声。
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公开(公告)号：CN103497097A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310413780.8
申请日：2013-09-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: C07C49/755 , C07C45/65
CPC classification number: C07C49/755 , C07C41/30 , C07C45/305 , C07C45/65 , C07C2603/18 , C07C49/84 , C07C43/23
Abstract: 本发明公开了一种取代芴酮及其制备方法，其具有芴酮类化合物具有较大共轭体系和刚性平面，因此且独特的生物活性及光电性能，被广泛应用于医药、农药、高分子材料、感光材料、染料等领域。本发明提供的取代芴酮的制备方法，其操作简单，不使用有毒性的物质，以钯催化体系来催化中间体化合物C，可通过一步反应就能够完成，而且纯化方便，有利于获得较好的取代芴酮；而且其取代基可通过中间体化合物C的构建来代入。
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公开(公告)号：CN103524320A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310412994.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C07C49/84 , C07C41/30 , C07C45/305 , C07F7/1804 , C07C43/23 , C07C43/315
Abstract: 本发明公开了一种取代二苯甲酮及其制备的方法，其具有二苯甲酮结构，因此既可作为夺氢型的光引发剂，在紫外光固化等领域具有广泛的应用，也可作为合成多取代的芴酮类化合的关键中间体。本发明提供的取代二苯甲酮的制备方法，其操作简单，不使用有毒性的物质，巧妙的利用中间体化合物B、中间体化合物A通过格氏反应构建二苯甲醇结构，再经氯重铬酸吡啶氧化得具有二苯甲酮结构的化合物；克服了现有技术中二苯甲酮类化合物的合成方法不能广泛应用的缺陷。
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公开(公告)号：CN102088289A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010579378.3
申请日：2010-12-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声LC VCO(基于电感-电容谐振的压控振荡器)，其尾电流源由工作在线性区的P-MOSFET管M6和工作在饱和区的P-MOSFET管M8串联而成，P-MOSFET管M6与P-MOSFET管M8的栅极接在一起，电流镜由另两个P-MOSFET管M5、M7对P-MOSFET管M6、P-MOSFET管M8构成，电流通过电流镜偏置到VCO中。由于线性区工作的P-MOSFET管M6的漏源电压很小，从而，M6管的引入对VCO输出信号的最大摆幅影响较小。此外，M6管的引入使M8管的漏端(即A点)看进去的等效电阻变大，从而谐振腔的损耗减小，使该LC VCO可以实现更低的相位噪声。
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