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公开(公告)号：CN118816695A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410859445.9
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于应变传感器技术领域，具体涉及一种高温薄膜型应变传感器，包括基底和应变敏感栅，所述应变敏感栅包括氧化铟锡层和铂层，所述氧化铟锡层沉积在所述基底上，所述铂层沉积在所述氧化铟锡层上，所述氧化铟锡层中含有氧化铟的质量分数为50％，氧化锡的质量分数为50％。本发明提供的一种高温薄膜应变传感器可以在常温到500℃下使用，在500℃高温条件下有极高的灵敏度。不同于常规金属箔式应变片几微米的厚度，高温薄膜应变栅厚度为500nm，能较好地传递被测物体在高温下的应变。
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公开(公告)号：CN118190043A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410287218.3
申请日：2024-03-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种量子信息传感器及制备方法，包括基底和磁性纳米颗粒与活性层溶液的薄膜混合层，磁性纳米颗粒与活性层溶液的混合层位于基底的上表面。本发明使用光‑电‑磁耦合的有机半导体太阳能电池/铁磁异质结，而不是单纯的电压调控及电场调控，也不存在热耗、腐蚀及化学反应等问题，也克服了现有光伏调控自旋电子学器件磁性调控量低且能耗高的问题。
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公开(公告)号：CN117686010A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311682303.1
申请日：2023-12-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于电学传感器技术领域，具体涉及一种提高栅电极结合力的声表面波传感器的制备方法，包括以下步骤：将铌酸锂基片进行清洗，干燥后，得到预处理的铌酸锂基片；在预处理的铌酸锂基片上旋涂3510T型光刻胶，之后在100～120℃间进行的前烘处理；在前烘处理后的基片的光刻胶上进行光刻，之后进行曝光和显影处理；将显影处理后的基片在120～140℃进行后烘处理；在后烘处理后的基片中旋涂光刻胶的一面，磁控溅射铂金层；将磁控溅射处理后的基片慢慢升温至450～500℃进行热处理；去除热处理后基片中的光刻胶，以形成铂金栅电极，制得所述声表面波传感器。本发明降低了成本以及提高电极材料附着的稳定性，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN222261390U
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202421519726.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本实用新型公开了一种免点浆烧结的高温薄膜高温应变传感器引线结构，属于电气连接设备技术领域。该免点浆烧结的高温薄膜高温应变传感器引线结构包括底板、盖板和连接件，还包括：触头，用于将铂金片压紧在高温应变传感器上的电极上；滑槽，沿高温应变传感器的宽度方向设置；左夹紧块，与高温应变传感器的左侧壁抵接；右夹紧块，与高温应变传感器的右侧壁抵接；驱动结构，用于在触头将铂金片压紧在高温应变传感器上的电极上时，驱动左夹紧块和右夹紧块将高温应变传感器夹紧。本实用新型的免点浆烧结的高温薄膜高温应变传感器引线结构，能够限制高温应变传感器沿其宽度方向晃动，保证铂金片与高温应变传感器稳定电连接。
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