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公开(公告)号：CN115746795B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202211505156.6
申请日：2022-11-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅气凝胶基复合相变储能材料，属于复合功能材料技术领域。该碳化硅气凝胶基复合相变储能材料由质量百分比为0.8％～15.6％的碳化硅气凝胶、0.1‑1％的界面改性剂和83.4％～99.1％的相变物质制得。所用碳化硅为具有三维联通网络结构的碳化硅纳米线气凝胶，相变物质均匀填充在碳化硅纳米线气凝胶的空隙中；本发明所采用的的复合方法为真空浸渍法，所得碳化硅气凝胶基复合相变储能材料的相变潜热为相变物质理论潜热的83～99％。本发明所采用的的界面改性方法为化学气相合成法，所得界面改性后的表面包覆改性剂的碳化硅气凝胶相变材料热导率提高至改性前的1.2‑3倍，实现了光热转化和热能储存，提高太阳能利用率至改性前的3‑8倍。
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公开(公告)号：CN116535218B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310499409.1
申请日：2023-05-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/64 , C04B35/66
Abstract: 本发明公开了一种高纯致密碳化硅陶瓷材料及其固相烧结方法和应用，属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下：1)以碳化硅粉、烧结助剂、液态有机树脂为原料，将原料混制、干燥并压制成型，制得生坯，将生坯保温、排胶处理；2)将排胶后的生坯进行烧结，烧结过程中利用烧结温度与气压协同耦合，生坯先后经过真空烧结、常压烧结与加压烧结三级烧结处理，制得高纯致密碳化硅陶瓷材料。本发明制备的碳化硅陶瓷，致密度高，气孔率低，具有良好的力学性能，并且整体制备工艺操作简单，为工业生产制备大尺寸、高温性能优异高纯致密碳化硅陶瓷材料提供了新方法。
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公开(公告)号：CN116217253A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310070399.X
申请日：2023-01-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/622 , C04B35/565 , C04B35/584 , B01J13/00 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种阻抗渐变层状梯度复合气凝胶及其制备方法和应用，属于吸波材料的制备领域，该阻抗渐变层状梯度复合气凝胶由不同阻抗的SiC/Si3N4复合气凝胶堆叠排列组成，SiC/Si3N4复合气凝胶具有SiC纳米线和Si3N4(微)纳米带相互搭接形成的多层不均匀界面的可调控孔隙的独特三维网络多孔结构。将不同阻抗的SiC/Si3N4复合气凝胶堆叠排列进行组装，进行气凝胶自粘接组装，以外层高阻抗的SiC/Si3N4复合气凝胶提升气凝胶的阻抗匹配。以内层高衰减的SiC/Si3N4复合气凝胶进行衰减，形成阻抗匹配由高到低的阻抗渐变层状梯度复合气凝胶，使电磁波能够以“之”字形的方式被不断缓慢逐层衰减，即将电磁波限制在层状气凝胶的内部被耗散，从而提高电磁波吸收性能。
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公开(公告)号：CN115772385A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211506305.0
申请日：2022-11-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C09K5/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅气凝胶基复合相变储热材料，属于有机‑无机复合功能材料技术领域。该碳化硅气凝胶基复合相变储热材料由质量百分比为84.4％～99.1％的相变物质和0.9％～15.6％的碳化硅制成。采用真空浸渍法将相变物质均匀填充在三维联通网络结构的碳化硅纳米线气凝胶的空隙中，所得碳化硅气凝胶基复合相变储热材料的相变潜热为相变物质理论潜热的84％～99％，热导率为相变物质热导率的1.5～3倍，且循环100次以上无泄漏现象，相变潜热衰减低于1％；在相变物质吸热熔化的条件下，仍能保持完整的形状，抗压强度不低于0.1MPa，且在空气气氛下300℃加热1h，可完全去除相变物质，获得完整的碳化硅气凝胶，回收用于碳化硅气凝胶基复合相变储热材料再制备。
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公开(公告)号：CN114773092A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210466095.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种通过氧化处理提高碳化硅纳米线气凝胶力学性能和隔热性能的方法，属于碳化硅气凝胶的制备技术领域。通过合理的氧化处理调控碳化硅纳米线气凝胶的氧化层厚度，借助氧化层改变碳化硅纳米线的微观结构，增加了碳化硅纳米线网络中的节点数量，同时提升了强度和弹性；氧化硅的本征热导率远低于碳化硅，氧化硅的含量增加，导致氧化后的碳化硅纳米线气凝胶的热导率降低；引入碳化硅/氧化硅界面，增强声子散射，实现了同时提高碳化硅纳米线气凝胶的力学性能和隔热性能。本发明通过简单的氧化处理实现了碳化硅纳米线气凝胶的力学性能和隔热性能的提高，有助于推进碳化硅纳米线气凝胶的实际应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109627006B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811626203.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/565 , C04B38/06 , C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碳化硅气凝胶及其制备方法，属于碳化硅气凝胶的制备技术领域。具有由尺寸从纳米(直径20～100nm)到亚微米级(直径0.1～0.5μm)的碳化硅纳米线构建的三维多空网络微观结构，该气凝胶是一种具有实用尺寸的碳化硅气凝胶，易于实现工业规模化生产。所制备的碳化硅气凝胶具有超高气孔率(＞90％)，适合用作隔热保温、催化剂载体、过滤、储能等材料。本发明公开的上述大尺寸碳化硅气凝胶的制备方法，工艺简单，无需传统制备气凝胶技术中所涉及的高成本，长耗时的干燥设备及工艺，对设备要求低，制备效率高，可制备具有实用尺寸的碳化硅气凝胶，易于实现工业规模化生产。
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公开(公告)号：CN109627006A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811626203.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/565 , C04B38/06 , C04B38/00
CPC classification number: C04B35/571 , C04B35/573 , C04B38/068 , C04B2235/5248 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B38/0045 , C04B38/0074 , C04B38/0067
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碳化硅气凝胶及其制备方法，属于碳化硅气凝胶的制备技术领域。具有由尺寸从纳米(直径20～100nm)到亚微米级(直径0.1～0.5μm)的碳化硅纳米线构建的三维多空网络微观结构，该气凝胶是一种具有实用尺寸的碳化硅气凝胶，易于实现工业规模化生产。所制备的碳化硅气凝胶具有超高气孔率(＞90％)，适合用作隔热保温、催化剂载体、过滤、储能等材料。本发明公开的上述大尺寸碳化硅气凝胶的制备方法，工艺简单，无需传统制备气凝胶技术中所涉及的高成本，长耗时的干燥设备及工艺，对设备要求低，制备效率高，可制备具有实用尺寸的碳化硅气凝胶，易于实现工业规模化生产。
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公开(公告)号：CN106185946B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610566429.6
申请日：2016-07-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/977 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种自支撑碳化硅纳米线纸及其制备方法，属于纳米材料制备及其自组装技术领域。包括以下步骤：1)以甲基三甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷为原料，以硝酸作为交联催化剂，采用共水解法制备硅凝胶，然后干燥，制得干凝胶；2)将干凝胶放入带有石墨盖的石墨坩埚中，并置于气压烧结炉中，将气压炉的气压抽到0.1Pa以下，以高纯氩气填充气压炉，并以2～10℃/min升温至1320～1500℃，保温一个小时；3)随炉冷却至室温，在石墨基体上生长出一层灰绿色的纳米线层，将纳米线层从石墨基体上剥离，制得自支撑碳化硅纳米线纸。该方法能够在纳米线生长的过程中同时实现纳米线的自组装，经该方法制得的纳米线纸的厚度可调，单次制得的纳米线纸的面积大。
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公开(公告)号：CN106185946A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610566429.6
申请日：2016-07-18
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C01P2002/77 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2006/12
Abstract: 本发明公开了一种自支撑碳化硅纳米线纸及其制备方法，属于纳米材料制备及其自组装技术领域。包括以下步骤：1)以甲基三甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷为原料，以硝酸作为交联催化剂，采用共水解法制备硅凝胶，然后干燥，制得干凝胶；2)将干凝胶放入带有石墨盖的石墨坩埚中，并置于气压烧结炉中，将气压炉的气压抽到0.1Pa以下，以高纯氩气填充气压炉，并以2～10℃/min升温至1320～1500℃，保温一个小时；3)随炉冷却至室温，在石墨基体上生长出一层灰绿色的纳米线层，将纳米线层从石墨基体上剥离，制得自支撑碳化硅纳米线纸。该方法能够在纳米线生长的过程中同时实现纳米线的自组装，经该方法制得的纳米线纸的厚度可调，单次制得的纳米线纸的面积大。
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公开(公告)号：CN118420355A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410542111.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种具有高沿面闪络电压的真空绝缘陶瓷及其制备方法，针对现有真空绝缘陶瓷(如Al2O3陶瓷)二次电子发射系数高、沿面闪络电压低、在脉冲功率系统中容易发生表面击穿而使设备失效的问题，提出制备Si3N4真空绝缘陶瓷；该方法包括：以Si3N4粉末为原料，添加SiO2和Y2O3作为烧结助剂，在氮气气氛中热压烧结，烧结温度为1700～1800℃，烧结压力为30MPa；本发明可以制备出具有低二次电子发射系数和高沿面闪络电压的Si3N4真空绝缘陶瓷，能够广泛应用于脉冲功率设备中。
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