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公开(公告)号：CN118420355A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410542111.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种具有高沿面闪络电压的真空绝缘陶瓷及其制备方法，针对现有真空绝缘陶瓷(如Al2O3陶瓷)二次电子发射系数高、沿面闪络电压低、在脉冲功率系统中容易发生表面击穿而使设备失效的问题，提出制备Si3N4真空绝缘陶瓷；该方法包括：以Si3N4粉末为原料，添加SiO2和Y2O3作为烧结助剂，在氮气气氛中热压烧结，烧结温度为1700～1800℃，烧结压力为30MPa；本发明可以制备出具有低二次电子发射系数和高沿面闪络电压的Si3N4真空绝缘陶瓷，能够广泛应用于脉冲功率设备中。
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