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公开(公告)号：CN110245414B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910501947.3
申请日：2019-06-11
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 西安交通大学 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: G06F30/23
Abstract: 一种压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法，包括以下步骤：步骤一、通过ANSYS simpleror计算压接式IGBT模块的集电极平均电流；步骤二、在ANSYS Maxwell中计算压接式IGBT模块随温度变化的发热功率；步骤三、在ANSYS steady‑state thermal中计算压接式IGBT模块的内部温度分布；步骤四、在ANSYS steady‑state mechanical中计算压接式IGBT模块内部应力分布。本发明能够清晰地描述各物理场间的耦合关系，得到IGBT模块实际运行中内部的温度分布以及应力分布状态，从而预测出模块内部最易失效的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101348381B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810150880.5
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，所述复合绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)将电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷分别打磨平整；(2)粘接电压敏陶瓷+氧化铝陶瓷+电压敏陶瓷；低温粘接可使用环氧、硅橡胶等；高温粘接可使用低温玻璃；(3)加热固化。得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。由于电压敏陶瓷具有非线性的V-I特性，使得在高电压下，真空-电极-绝缘子三结合区的场强得到大幅度的减弱，从而抑制了初始电子发射。本发明公开的这种绝缘结构可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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公开(公告)号：CN110245414A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910501947.3
申请日：2019-06-11
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 西安交通大学 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法，包括以下步骤：步骤一、通过ANSYS simpleror计算压接式IGBT模块的集电极平均电流；步骤二、在ANSYS Maxwell中计算压接式IGBT模块随温度变化的发热功率；步骤三、在ANSYS steady-state thermal中计算压接式IGBT模块的内部温度分布；步骤四、在ANSYS steady-state mechanical中计算压接式IGBT模块内部应力分布。本发明能够清晰地描述各物理场间的耦合关系，得到IGBT模块实际运行中内部的温度分布以及应力分布状态，从而预测出模块内部最易失效的部分。
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公开(公告)号：CN101350237B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200810150876.9
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有掺钼金属陶瓷片。所述复合陶瓷绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)采用常规电子陶瓷工艺制备氧化铝陶瓷基体，(2)制备氧化铝基金属陶瓷片，按体积百分比将Al2O3瓷粉75～99.9％；金属Mo粉0.1～25％，经粉碎、造粒、成形后排胶，在1500-1700℃烧结得到掺钼金属陶瓷片，(3)将Mo-Al2O3金属陶瓷与Al2O3陶瓷基体分别打磨平整；使用环氧粘接Mo-Al2O3+Al2O3基体+Mo-Al2O3；(4)加热固化，得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。本发明公开的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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公开(公告)号：CN101350237A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810150876.9
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有掺钼金属陶瓷片。所述复合陶瓷绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)采用常规电子陶瓷工艺制备氧化铝陶瓷基体，(2)制备氧化铝基金属陶瓷片，按体积百分比将Al2O3瓷粉75～99.9％；金属Mo粉0.1～25％，经粉碎、造粒、成形后排胶，在1500－1700℃烧结得到掺钼金属陶瓷片，(3)将Mo－Al2O3金属陶瓷与Al2O3陶瓷基体分别打磨平整；使用环氧粘接Mo－Al2O3+Al2O3基体+Mo－Al2O3；(4)加热固化，得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。本发明公开的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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公开(公告)号：CN101348381A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810150880.5
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，所述复合绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)将电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷分别打磨平整；(2)粘接电压敏陶瓷+氧化铝陶瓷+电压敏陶瓷；低温粘接可使用环氧、硅橡胶等；高温粘接可使用低温玻璃；(3)加热固化。得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。由于电压敏陶瓷具有非线性的V－I特性，使得在高电压下，真空－电极－绝缘子三结合区的场强得到大幅度的减弱，从而抑制了初始电子发射。本发明公开的这种绝缘结构可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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