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公开(公告)号：CN101477857B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910020857.9
申请日：2009-01-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种变介电常数-电阻率的复合有机绝缘结构及制备方法，在聚乙烯基体两端面通过热压的方法平面联接有半导电料与聚乙烯的复合材料层。制备方法包括下述步骤：1)采用常规有机材料工艺制备聚乙烯基体；2)按质量百分比将聚乙烯料10～99％、半导电料1～90％配料，经混合、热压制成复合材料片；3)将半导电料-聚乙烯复合材料片与聚乙烯基体分别打磨平整后热压在一起，形成半导电料-聚乙烯+聚乙烯+半导电料-聚乙烯三层绝缘结构。本发明的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101348381B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810150880.5
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，所述复合绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)将电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷分别打磨平整；(2)粘接电压敏陶瓷+氧化铝陶瓷+电压敏陶瓷；低温粘接可使用环氧、硅橡胶等；高温粘接可使用低温玻璃；(3)加热固化。得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。由于电压敏陶瓷具有非线性的V-I特性，使得在高电压下，真空-电极-绝缘子三结合区的场强得到大幅度的减弱，从而抑制了初始电子发射。本发明公开的这种绝缘结构可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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公开(公告)号：CN101350237B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200810150876.9
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有掺钼金属陶瓷片。所述复合陶瓷绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)采用常规电子陶瓷工艺制备氧化铝陶瓷基体，(2)制备氧化铝基金属陶瓷片，按体积百分比将Al2O3瓷粉75～99.9％；金属Mo粉0.1～25％，经粉碎、造粒、成形后排胶，在1500-1700℃烧结得到掺钼金属陶瓷片，(3)将Mo-Al2O3金属陶瓷与Al2O3陶瓷基体分别打磨平整；使用环氧粘接Mo-Al2O3+Al2O3基体+Mo-Al2O3；(4)加热固化，得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。本发明公开的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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公开(公告)号：CN101477857A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910020857.9
申请日：2009-01-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种变介电常数－电阻率的复合有机绝缘结构及制备方法，在聚乙烯基体两端面通过热压的方法平面联接有半导电料与聚乙烯的复合材料层。制备方法包括下述步骤：1)采用常规有机材料工艺制备聚乙烯基体；2)按质量百分比将聚乙烯料10～99％、半导电料1～90％配料，经混合、热压制成复合材料片；3)将半导电料－聚乙烯复合材料片与聚乙烯基体分别打磨平整后热压在一起，形成半导电料－聚乙烯+聚乙烯+半导电料－聚乙烯三层绝缘结构。本发明的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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公开(公告)号：CN101350237A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810150876.9
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有掺钼金属陶瓷片。所述复合陶瓷绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)采用常规电子陶瓷工艺制备氧化铝陶瓷基体，(2)制备氧化铝基金属陶瓷片，按体积百分比将Al2O3瓷粉75～99.9％；金属Mo粉0.1～25％，经粉碎、造粒、成形后排胶，在1500－1700℃烧结得到掺钼金属陶瓷片，(3)将Mo－Al2O3金属陶瓷与Al2O3陶瓷基体分别打磨平整；使用环氧粘接Mo－Al2O3+Al2O3基体+Mo－Al2O3；(4)加热固化，得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。本发明公开的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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公开(公告)号：CN101348381A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810150880.5
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，所述复合绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)将电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷分别打磨平整；(2)粘接电压敏陶瓷+氧化铝陶瓷+电压敏陶瓷；低温粘接可使用环氧、硅橡胶等；高温粘接可使用低温玻璃；(3)加热固化。得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。由于电压敏陶瓷具有非线性的V－I特性，使得在高电压下，真空－电极－绝缘子三结合区的场强得到大幅度的减弱，从而抑制了初始电子发射。本发明公开的这种绝缘结构可以显著的改善真空沿面闪络性能。
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