-
公开(公告)号：CN101348381B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810150880.5
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，所述复合绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)将电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷分别打磨平整；(2)粘接电压敏陶瓷+氧化铝陶瓷+电压敏陶瓷；低温粘接可使用环氧、硅橡胶等；高温粘接可使用低温玻璃；(3)加热固化。得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。由于电压敏陶瓷具有非线性的V-I特性，使得在高电压下，真空-电极-绝缘子三结合区的场强得到大幅度的减弱，从而抑制了初始电子发射。本发明公开的这种绝缘结构可以显著的改善真空沿面闪络性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561610C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710019076.9
申请日：2007-11-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种对绝缘介质表面溅射金粒子的方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)制备长度为4mm～14mm的绝缘介质试样，试样长度即为电极间距；(2)使用粒子溅射仪，在绝缘介质试样表面溅射金粒子，溅射时间控制在10s～40s；(3)最后得到金膜厚度在3.92～15.68埃的表面半导化绝缘介质的试样。本发明通过对绝缘介质外表面进行溅射金粒子处理，可以显著的提高其真空沿面闪络电压。本发明提出的方法可应用于电气、航天、武器系统等多个领域。
-
公开(公告)号：CN101183574A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710019076.9
申请日：2007-11-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种对绝缘介质表面溅射金粒子的方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)制备长度为4mm～14mm的绝缘介质试样，试样长度即为电极间距；(2)使用粒子溅射仪，在绝缘介质试样表面溅射金粒子，溅射时间控制在10s～40s；(3)最后得到金膜厚度在3.92～15.68埃的表面半导化绝缘介质的试样。本发明通过对绝缘介质外表面进行溅射金粒子处理，可以显著的提高其真空沿面闪络电压。本发明提出的方法可应用于电气、航天、武器系统等多个领域。
-
公开(公告)号：CN101350237B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200810150876.9
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有掺钼金属陶瓷片。所述复合陶瓷绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)采用常规电子陶瓷工艺制备氧化铝陶瓷基体，(2)制备氧化铝基金属陶瓷片，按体积百分比将Al2O3瓷粉75～99.9％；金属Mo粉0.1～25％，经粉碎、造粒、成形后排胶，在1500-1700℃烧结得到掺钼金属陶瓷片，(3)将Mo-Al2O3金属陶瓷与Al2O3陶瓷基体分别打磨平整；使用环氧粘接Mo-Al2O3+Al2O3基体+Mo-Al2O3；(4)加热固化，得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。本发明公开的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。
-
公开(公告)号：CN101350237A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810150876.9
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有掺钼金属陶瓷片。所述复合陶瓷绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)采用常规电子陶瓷工艺制备氧化铝陶瓷基体，(2)制备氧化铝基金属陶瓷片，按体积百分比将Al2O3瓷粉75～99.9％；金属Mo粉0.1～25％，经粉碎、造粒、成形后排胶，在1500－1700℃烧结得到掺钼金属陶瓷片，(3)将Mo－Al2O3金属陶瓷与Al2O3陶瓷基体分别打磨平整；使用环氧粘接Mo－Al2O3+Al2O3基体+Mo－Al2O3；(4)加热固化，得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。本发明公开的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。
-
公开(公告)号：CN101348381A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810150880.5
申请日：2008-09-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，所述复合绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)将电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷分别打磨平整；(2)粘接电压敏陶瓷+氧化铝陶瓷+电压敏陶瓷；低温粘接可使用环氧、硅橡胶等；高温粘接可使用低温玻璃；(3)加热固化。得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。由于电压敏陶瓷具有非线性的V－I特性，使得在高电压下，真空－电极－绝缘子三结合区的场强得到大幅度的减弱，从而抑制了初始电子发射。本发明公开的这种绝缘结构可以显著的改善真空沿面闪络性能。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.023 seconds)
