一种基于手机的CRISPR双色荧光检测装置及方法

    公开(公告)号:CN118325714A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410532097.4

    申请日:2024-04-29

    摘要: 本发明公开了一种基于手机的CRISPR双色荧光检测装置及方法,本方法结合了核酸样本快速释放技术、试剂冻干、RPA等温扩增和CRISPR/Cas技术,使用配套装置实现了样本进‑结果出的病毒核酸检测;本装置提供了密闭的内部环境,可以在腔室的内部进行反应,在上盖上开设有手机拍摄槽,便于手机对采集内部反应后的图像,上盖上设置了滤光片,在滤光片组件的带动下,可以根据要检测的病毒基因,滑动滤光片组件,使对应的滤光片与手机拍摄槽对应,通过内部的激发光模块与滤光片配合,实现不同病毒基因荧光波段的检测,本装置通过手机界面的操作就可以实现核酸的全程检测,不需要借助额外的电脑软件或别的操控设备,便于携带,操作简单,可以在多场景下做到及时检测。

    一种适用于CRISPR分子诊断技术的多重核酸检测装置及方法

    公开(公告)号:CN115093950A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210762430.1

    申请日:2022-06-30

    摘要: 本发明公开了一种适用于CRISPR分子诊断技术的多重核酸检测装置及方法,包括整体机架;整体机架的顶部设置有上盖,上盖上设置有图像获取单元;整体机架内部设置有驱动单元,驱动单元连接检测室,检测室上设置有温度传感器,整体机架的内部还设置有加热件;整体机架的外侧设置有散热件。本装置实现了一体化检测,在不开盖的密闭环境中实现对核酸的检测,避免检测室收到外部环境和光源的影响,保证了检测的精度,本发明公开的装置便于携带,避免样本采集后在运输过程中的污染,保证了检测的精准性,操作简单,能够实现居家自助检测,节省了检测资源,降低了检测成本,解决了现有技术中检测依赖大型设备,检测成本高的问题。

    一种基于CRISPR技术的一体化核酸检测芯片及方法

    公开(公告)号:CN114182000A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111510711.X

    申请日:2021-12-10

    IPC分类号: C12Q1/6837 C12Q1/6844

    摘要: 本发明提供了一种基于CRISPR技术的一体化核酸检测芯片及方法,本发明提供的芯片装置可以在一个装置的内部同时进行等温扩增技术和CRISPR分子诊断技术,一体化检测解决了两种技术不兼容的问题,且通过简单的手动操作,使用者即可实现高灵敏度的核酸检测,摆脱了大型仪器设备的支持,极大的降低了使用成本。装置方便携带,为CRISPR分子诊断技术脱离中心实验室提供了一个很好的平台,操作也方便,加快了核酸检测的速度,节省了一部分的医疗成本,解决了现有技术中检测结果慢,成本高,无法实现检测一体化的问题。

    一种适用于CRISPR分子诊断技术的一体化核酸检测装置及方法

    公开(公告)号:CN113930329A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111156212.5

    申请日:2021-09-29

    摘要: 本发明公开了一种适用于CRISPR分子诊断技术的一体化核酸检测装置及方法,包括整体支架和同轴光纤,整体支架的内腔中转动连接有试管架,试管架用于放置试管,试管架套设在管套内腔,管套的顶部为开口结构,管套的内壁上设有第一温度传感器和加热片,第一温度传感器用于监测管套内腔的温度,加热片用于加热管套内腔的温度;同轴光纤的激发端用于接收激发光源,同轴光纤的同轴端穿过管套朝向试管,同轴光纤的同轴端用于传递激发光源至试管处并将试管处的光源传递至同轴光纤的发射端,同轴光纤的发射端处设有相机,所述相机用于拍摄发射端产生的荧光现象。本发明缩减了人工操作,提高了检测效率。

    一种全封闭无污染的数字化核酸检测芯片及检测方法

    公开(公告)号:CN113846002A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202111204315.4

    申请日:2021-10-15

    摘要: 本发明公开了一种全封闭无污染的数字化核酸检测芯片,包括芯片本体、第一穿刺针和第二穿刺针,所述芯片本体为透明材质,所述芯片本体上设有若干个进油通孔,进油通孔的出口连接进油槽,所述进油槽上连接有第一穿刺针的一端开口,第一穿刺针的另一端开口伸入试管中,所述试管用于接收进油通孔输送的油相,第二穿刺针的一端开口连接在芯片本体内腔中开设的进液槽内,所述进液槽的出口连接有平铺腔室,所述平铺腔室的底部平面处于水平方向,所述第二穿刺针的另一端开口伸入试管中;第一穿刺针的另一端开口始终伸入试管中的油相内,在油相充满试管时,第二穿刺针的另一端开口接触油相的顶部液面。本发明避免了交叉污染风险,操作简单,耗时短。

    一种多用途磁敏免疫分析微流控芯片及其使用方法

    公开(公告)号:CN111308065A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010131289.6

    申请日:2020-02-28

    摘要: 本发明提供一种多用途磁敏免疫分析微流控芯片及其使用方法,采用微流控芯片上盖外嵌磁敏生物传感芯片的设计,简化了整体结构,降低了磁敏生物传感芯片和微流控芯片的定位、装配精度要求;采用外嵌磁敏生物传感芯片的方式,使磁敏生物传感芯片与试剂直接接触的同时减少了检测线路与生物试剂的接触,减少了干扰,提高了结果的准确性;采用外嵌磁敏生物传感芯片的方式,便于磁敏生物传感芯片的安装和拆卸,这种设计便于在使用后更换磁敏生物传感芯片,便于同一微流控芯片重复使用或进行多种不同用途的检测,由于微流控芯片的成本通常明显高于磁敏生物传感器,因此,重复使用可以大大降低成本。

    一种封闭EWOD芯片中液滴多维快速混匀方法

    公开(公告)号:CN108772014B

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201810678638.9

    申请日:2018-06-27

    IPC分类号: B01F13/00 B01J19/00

    摘要: 一种封闭EWOD芯片中液滴多维快速混匀方法,采用液滴多维混匀电极结构,先驱动两种不同的液滴样本分别从左右两个进样电极进入,依次经过过渡电极到达融合电极,合并为一个大液滴;然后在某一方向或者某几个方向上进行液滴的一次分裂,一次分裂结束后,液滴再次回到融合电极合并为一个大液滴;在与一次分裂垂直或者成一定角度的方向上进行二次分裂,分裂完成后,液滴再次在融合电极上合并;重复分裂、融合,直至得到混合均一的溶液;对融合电极下方的出样电极施加高电压,将混匀的液滴移出融合电极;本发明实现封闭的EWOD系统中液滴的多维分裂——融合,提高混匀效率。

    一种适用于多种生化样品的循环气体温控装置

    公开(公告)号:CN107193304B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201710404265.1

    申请日:2017-06-01

    IPC分类号: G05D23/20

    摘要: 一种适用于多种生化样品的循环气体温控装置,包括温度控制模块、气体循环模块和多功能样品仓,温度控制模块与气体循环模块嵌合,温度控制模块的温度扩散器与气体循环模块的左侧气流通道、右侧气流通道相通;左侧气流通道的出口与多功能样品仓的样品仓入口相连并密封,右侧气流通道的入口与多功能样品仓的样品仓出口相连并密封;多功能样品仓的内部腔体的底部与气体循环模块的绝热层重合并固定;温度控制模块的加热元件采用半导体发热元件,半导体元件通过控制电流来控制温度的升高或降低,本发明具有低能耗、高能效、对环境影响小、自动化程度高的优点。

    一种封闭EWOD芯片中液滴多维快速混匀方法

    公开(公告)号:CN108772014A

    公开(公告)日:2018-11-09

    申请号:CN201810678638.9

    申请日:2018-06-27

    IPC分类号: B01F13/00 B01J19/00

    摘要: 一种封闭EWOD芯片中液滴多维快速混匀方法,采用液滴多维混匀电极结构,先驱动两种不同的液滴样本分别从左右两个进样电极进入,依次经过过渡电极到达融合电极,合并为一个大液滴;然后在某一方向或者某几个方向上进行液滴的一次分裂,一次分裂结束后,液滴再次回到融合电极合并为一个大液滴;在与一次分裂垂直或者成一定角度的方向上进行二次分裂,分裂完成后,液滴再次在融合电极上合并;重复分裂、融合,直至得到混合均一的溶液;对融合电极下方的出样电极施加高电压,将混匀的液滴移出融合电极;本发明实现封闭的EWOD系统中液滴的多维分裂——融合,提高混匀效率。

    一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN104748904B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201510131116.3

    申请日:2015-03-24

    IPC分类号: G01L9/06

    摘要: 一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法,传感器芯片包括基底上的薄膜,四条浅槽沿着薄膜上部边缘分布,四个压敏电阻条布置在相邻两条浅槽端部之间,金属引线将四个压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥,四个凸块沿薄膜下部的边缘分布,且与基底相连;四个质量块与凸块间隔有距离,凸块连接在薄膜上,质量块与凸块以及两者之间的间隙构成了分段质量块应力集中结构;制备方法是对清洗过的SOI硅片制作压敏电阻条,再获得P型重掺杂硅作为欧姆接触区,然后制作浅槽,制作传感器的背腔结构层,最后将基底与防过载玻璃键合,本发明传感器芯片具备高可靠性、高精度、高线性度、高动态特性等特点,且便于加工、成本低。