公开(公告)号：CN109650875B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201910045678.4

申请日：2019-01-17

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张立学 ,  毛蒲 ,  王继平 ,  刘淑娟 ,  赵莹莹 ,  王泽鹏

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  C04B35/626 ,  C04B35/624 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种巨介电钛酸铜钙复合陶瓷材料及其制备方法和应用，属于电子陶瓷材料制备的技术领域。本发明通过将固相法和溶胶‑凝胶法合成的微、纳米粉体进行混合制备钛酸铜钙复合陶瓷材料，制备过程简单可控、重复性好、成品率高，还可通过改变微米粉体和纳米粉体复合比例，调控钛酸铜钙复合陶瓷的晶粒尺寸及其范围，从而得到致密的高介电(5×104)、低损耗(0.051)、高击穿场强(2374V/cm)和高储能密度(20kJ/m3)的钛酸铜钙复合陶瓷材料，其储能密度是单一微米和纳米粉体制备陶瓷的12.7和12.1倍。本发明制备的钛酸铜钙复合陶瓷材料实用性强，作为介质材料可用于制备高介电多层陶瓷电容器和动态随机存储器，也作为压敏陶瓷材料用于电力、电子系统等领域。

公开(公告)号：CN109878176A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910145712.5

申请日：2019-02-27

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张立学 ,  孙钦钊 ,  王继平 ,  毛蒲 ,  刘淑娟 ,  王泽鹏

IPC: B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/06 ,  B32B7/08 ,  B32B33/00 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K3/24 ,  C08K3/28 ,  H01G4/08 ,  H01G4/12 ,  H01G4/18 ,  B29C65/02

Abstract: 一种高储能密度的聚合物基多层复合材料及其制备方法，复合材料由两层绝缘层以及设置在两层绝缘层之间的介电层组成，绝缘层采用氮化铝和聚偏氟乙烯复合材料制成，介电层采用铌酸钾和聚偏氟乙烯复合材料制成。制备方法包括：1)将氮化铝粉体加入聚偏氟乙烯溶液中混合均匀，再将得到的混合溶液均匀地涂覆在基板上，经过真空干燥之后揭下，得到绝缘层复合材料薄膜A；2)将铌酸钾粉体加入聚偏氟乙烯溶液中混合均匀，再将得到的混合溶液均匀地涂覆在基板上，经过真空干燥之后揭下，得到介电层复合材料薄膜K；3)以绝缘层复合材料薄膜A为外层，介电层复合材料薄膜K为内层进行热压即可。本发明制备方法简单，复合材料具有较高的击穿场强。

公开(公告)号：CN109650875A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201910045678.4

申请日：2019-01-17

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张立学 ,  毛蒲 ,  王继平 ,  刘淑娟 ,  赵莹莹 ,  王泽鹏

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  C04B35/626 ,  C04B35/624 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种巨介电钛酸铜钙复合陶瓷材料及其制备方法和应用，属于电子陶瓷材料制备的技术领域。本发明通过将固相法和溶胶-凝胶法合成的微、纳米粉体进行混合制备钛酸铜钙复合陶瓷材料，制备过程简单可控、重复性好、成品率高，还可通过改变微米粉体和纳米粉体复合比例，调控钛酸铜钙复合陶瓷的晶粒尺寸及其范围，从而得到致密的高介电(5×104)、低损耗(0.051)、高击穿场强(2374V/cm)和高储能密度(20kJ/m3)的钛酸铜钙复合陶瓷材料，其储能密度是单一微米和纳米粉体制备陶瓷的12.7和12.1倍。本发明制备的钛酸铜钙复合陶瓷材料实用性强，作为介质材料可用于制备高介电多层陶瓷电容器和动态随机存储器，也作为压敏陶瓷材料用于电力、电子系统等领域。

公开(公告)号：CN119899408A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510036159.7

申请日：2025-01-09

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张立学 ,  李思远 ,  张思宇 ,  张天然 ,  宋梦凡 ,  王继平

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  C08L27/16 ,  C08K9/10 ,  C08K3/36 ,  C08K3/34 ,  H01G4/18

Abstract: 本发明公开了一种聚醚酰亚胺基高温储能复合介电材料及其制备方法，包括制备碳化硅表面包覆二氧化硅的纳米核壳颗粒，得到纳米核壳颗粒浊液；制备聚醚酰亚胺溶液和铁电聚合物溶液；在纳米核壳颗粒浊液中加入聚醚酰亚胺溶液和铁电聚合物溶液，制备复合电介质溶液；将复合电介质溶液涂覆在玻璃基板上，经系列温度烘干后剥离，得到复合电介质薄膜。本发明中纳米核壳填料具有的宽禁带优势，增强了材料的绝缘性能，同时形成的微米和纳米级相分离结构增强了材料的机械性能，提高高温条件下的击穿场强；依靠核壳填料与聚醚酰亚胺基体之间的界面效应增强复合电介质的极化响应能力。

公开(公告)号：CN110304933B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910572328.3

申请日：2019-06-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王继平 ,  刘攀 ,  张立学 ,  杨建锋 ,  史忠旗 ,  王波 ,  王红洁

IPC: C04B35/81 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种表面改性碳化硅晶须增韧反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法，包括：1)碳化硅晶须表面改性；2)主要原料预分散；3)混料及干燥；4)干磨及过筛造粒；5)压制成型；6)炭化；7)反应烧结，得到碳化硅陶瓷。本发明制备的PyC‑SiCw表面的热解碳涂层在反应烧结过程中与液硅发生反应在PyC‑SiCw表面原位生成一层SiC涂层，SiC涂层将SiCw与高温液硅相互隔离，避免了高温下液硅对SiCw的侵蚀损伤问题，PyC‑SiCw/RBSC陶瓷具有弯曲强度高、断裂韧性大、维氏硬度高的性能特点，是一种力学性能良好的陶瓷基复合材料。

公开(公告)号：CN110304933A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910572328.3

申请日：2019-06-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王继平 ,  刘攀 ,  张立学 ,  杨建锋 ,  史忠旗 ,  王波 ,  王红洁

IPC: C04B35/81 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种表面改性碳化硅晶须增韧反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法，包括：1)碳化硅晶须表面改性；2)主要原料预分散；3)混料及干燥；4)干磨及过筛造粒；5)压制成型；6)炭化；7)反应烧结，得到碳化硅陶瓷。本发明制备的PyC-SiCw表面的热解碳涂层在反应烧结过程中与液硅发生反应在PyC-SiCw表面原位生成一层SiC涂层，SiC涂层将SiCw与高温液硅相互隔离，避免了高温下液硅对SiCw的侵蚀损伤问题，PyC-SiCw/RBSC陶瓷具有弯曲强度高、断裂韧性大、维氏硬度高的性能特点，是一种力学性能良好的陶瓷基复合材料。