公开(公告)号：CN118244397A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410295423.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张伟 ,  张思雨 ,  王疆靖 ,  王晓哲 ,  周文

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00 ,  G02B1/10 ,  G02B1/14 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于银锡硒、银锡碲相变材料的超表面光吸收器件，包括器件单元，所述器件单元自下而上依次是衬底、反射层、介质层、相变层以及保护层；采用不同相变层厚度的不同器件单元周期性排列组合构成整体器件结构；所述相变层为银锡硒或银锡碲，银锡硒化学式为AgxSnySez，银锡硒化学式为AgxSnyTez，其中0

公开(公告)号：CN118354659A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410499117.2

申请日：2024-04-24

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王疆靖 ,  张思雨 ,  张伟

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种基于银锡硒、银锡碲相变材料的光开关器件，所述光开关器件的整体结构共四层，自下至上依次为衬底、波导介质层、相变层和保护层，所述光开关器件的相变层的材料为银锡硒或银锡碲，银锡硒化学式为AgxSnySez，银锡碲化学式为AgxSnyTez，其中0