公开(公告)号：CN103304251A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310185393.3

申请日：2013-05-17

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  刘波波 ,  史永贵 ,  景文甲 ,  徐照芸 ,  王波 ,  鲍崇高

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，利用碳化硅粉与碳化硼粉混合均匀并装入石墨坩埚，放入感应烧结炉中，在坩埚顶部盖上石墨纸或石墨盖，抽真空并充入高于4×104Pa的氩气后加热至2100～2600℃，保温0.5～4h，高温下B4C掺杂的SiC粉料通过升华传送到坩埚顶部，碳化硅在坩埚顶部石墨纸下面通过VLS和螺旋位错机理进行形核长大，在石墨纸盖上得到的通孔结构的纯α相SiC多孔陶瓷材料，可广泛应用于柴油车尾气颗粒捕集器或催化剂载体、尾气处理、污水处理等环保领域。

公开(公告)号：CN102534796B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110455192.1

申请日：2011-12-21

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  史永贵 ,  刘虎林 ,  戴培赟 ,  刘波波 ,  白宇 ,  乔冠军

IPC: C30B29/36 ,  C30B29/62 ,  C30B1/00

Abstract: 一种纯α碳化硅晶须的制备方法，将质量百分比为80～99.5％碳化硅与0.5～20％铁粉或者镍粉均匀混合装入石墨坩埚内；将石墨坩埚装入中频感应烧结炉中，炉内压力小于103Pa，充入氩气至炉内压力大于4×104Pa；将石墨坩埚加热至2250～2600℃，碳纤维毡的辐射孔处的温度为1900～2100℃，抽气至气压在1×104～2×104Pa，保温0.5～4h，使晶须在碳纤维毡的开孔处通过气-液-固(VLS)机理进行形核生长；将气压充至0.6×105～1×105Pa，随炉冷却至室温，得到黄色、绿色或无色的碳化硅，本发明工艺简单，生产周期短。

公开(公告)号：CN103304251B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310185393.3

申请日：2013-05-17

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  刘波波 ,  史永贵 ,  景文甲 ,  徐照芸 ,  王波 ,  鲍崇高

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，利用碳化硅粉与碳化硼粉混合均匀并装入石墨坩埚，放入感应烧结炉中，在坩埚顶部盖上石墨纸或石墨盖，抽真空并充入高于4×104Pa的氩气后加热至2100～2600℃，保温0.5～4h，高温下B4C掺杂的SiC粉料通过升华传送到坩埚顶部，碳化硅在坩埚顶部石墨纸下面通过VLS和螺旋位错机理进行形核长大，在石墨纸盖上得到的通孔结构的纯α相SiC多孔陶瓷材料，可广泛应用于柴油车尾气颗粒捕集器或催化剂载体、尾气处理、污水处理等环保领域。

公开(公告)号：CN102534796A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110455192.1

申请日：2011-12-21

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  史永贵 ,  刘虎林 ,  戴培赟 ,  刘波波 ,  白宇 ,  乔冠军

IPC: C30B29/36 ,  C30B29/62 ,  C30B1/00

Abstract: 一种纯α碳化硅晶须的制备方法，将质量百分比为80～99.5％碳化硅与0.5～20％铁粉或者镍粉均匀混合装入石墨坩埚内；将石墨坩埚装入中频感应烧结炉中，炉内压力小于103Pa，充入氩气至炉内压力大于4×104Pa；将石墨坩埚加热至2250～2600℃，碳纤维毡的辐射孔处的温度为1900～2100℃，抽气至气压在1×104～2×104Pa，保温0.5～4h，使晶须在碳纤维毡的开孔处通过气-液-固(VLS)机理进行形核生长；将气压充至0.6×105～1×105Pa，随炉冷却至室温，得到黄色、绿色或无色的碳化硅，本发明工艺简单，生产周期短。

公开(公告)号：CN104086183B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201410312861.3

申请日：2014-07-02

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  徐照芸 ,  景文甲 ,  刘波波 ,  王波 ,  李春芳

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00

Abstract: 一种密度可控多孔Si3N4陶瓷制备方法，首先制备等轴状α相Si3N4粉乙醇浆料和纤维状α相Si3N4粉的乙醇浆料，然后按质量百分比70-99wt％Si3N4粉和1-30wt％烧结助剂Y2O3经磁力搅拌2-24h充分混合均匀，将混合粉料干燥、过筛、成型后，放入内壁涂有BN的石墨坩埚内，装入多功能烧结炉，在烧结温度1650-1850℃，保温时间1-4h，氮气压力为0.1-2MPa的条件下进行液相烧结，得到不同密度及气孔率的多孔β-Si3N4陶瓷；本方法工艺简单，可应用于干压成型、冷等静压成型、注浆成型、注射成型、挤压成型等多种成型方法。

公开(公告)号：CN104086183A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410312861.3

申请日：2014-07-02

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  徐照芸 ,  景文甲 ,  刘波波 ,  王波 ,  李春芳

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00

Abstract: 一种密度可控多孔Si3N4陶瓷制备方法，首先制备等轴状α相Si3N4粉乙醇浆料和纤维状α相Si3N4粉的乙醇浆料，然后按质量百分比70-99wt％Si3N4粉和1-30wt％烧结助剂Y2O3经磁力搅拌2-24h充分混合均匀，将混合粉料干燥、过筛、成型后，放入内壁涂有BN的石墨坩埚内，装入多功能烧结炉，在烧结温度1650-1850℃，保温时间1-4h，氮气压力为0.1-2MPa的条件下进行液相烧结，得到不同密度及气孔率的多孔β-Si3N4陶瓷；本方法工艺简单，可应用于干压成型、冷等静压成型、注浆成型、注射成型、挤压成型等多种成型方法。