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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102391012A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110219838.6
申请日：2011-08-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，按重量百分比，按重量百分数：碳化硅粉40～70％、氧化硅粉15～34％、纳米炭黑3～14％、酚醛树脂8～12％分别进行称量，用酒精作为溶剂湿混制备成混合粉末；然后模压成形，将上述成形体放入烧结炉中，先在真空下加热到1400～1500℃碳热还原2～2.5小时，然后在氩气气氛下快速升温至1800～2000℃再结晶处理1～3小时，即可获得烧结体。本发明的碳化硅多孔陶瓷可广泛应用于柴油车尾气颗粒捕集器或催化剂载体等领域。
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公开(公告)号：CN117558610A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311530250.1
申请日：2023-11-16
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所 , 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种可切换电子增益的电子倍增器及电子倍增方法，特别涉及一种多路选通切换电子增益的电子倍增器及电子倍增方法，解决了现有电子倍增器改变电子增益时需要长时间才能达到稳定工作状态及使用寿命较短的问题。该电子倍增器包括由前至后排列的收集电极和电子倍增系统，还包括输出系统及供电系统；电子倍增系统为打拿极电子倍增系统且后端一侧包含多个开口打拿极；输出系统包括选通电极阵列、选通输出阳极阵列、脉冲发生器及脉冲馈入电路；选通电极和选通输出阳极数量等于开口打拿极数量；选通电极一一对应设在开口打拿极开口外侧；选通输出阳极一一对应位于选通电极内腔中；脉冲发生器输出端通过脉冲馈入电路分别与各选通电极连接。
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公开(公告)号：CN102534796B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110455192.1
申请日：2011-12-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纯α碳化硅晶须的制备方法，将质量百分比为80～99.5％碳化硅与0.5～20％铁粉或者镍粉均匀混合装入石墨坩埚内；将石墨坩埚装入中频感应烧结炉中，炉内压力小于103Pa，充入氩气至炉内压力大于4×104Pa；将石墨坩埚加热至2250～2600℃，碳纤维毡的辐射孔处的温度为1900～2100℃，抽气至气压在1×104～2×104Pa，保温0.5～4h，使晶须在碳纤维毡的开孔处通过气-液-固(VLS)机理进行形核生长；将气压充至0.6×105～1×105Pa，随炉冷却至室温，得到黄色、绿色或无色的碳化硅，本发明工艺简单，生产周期短。
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公开(公告)号：CN102391012B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110219838.6
申请日：2011-08-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: B01J32/00 , C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，按重量百分比，按重量百分数：碳化硅粉40～70％、氧化硅粉15～34％、纳米炭黑3～14％、酚醛树脂8～12％分别进行称量，用酒精作为溶剂湿混制备成混合粉末；然后模压成形，将上述成形体放入烧结炉中，先在真空下加热到1400～1500℃碳热还原2～2.5小时，然后在氩气气氛下快速升温至1800～2000℃再结晶处理1～3小时，即可获得烧结体。本发明的碳化硅多孔陶瓷可广泛应用于柴油车尾气颗粒捕集器或催化剂载体等领域。
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公开(公告)号：CN102534796A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110455192.1
申请日：2011-12-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种纯α碳化硅晶须的制备方法，将质量百分比为80～99.5％碳化硅与0.5～20％铁粉或者镍粉均匀混合装入石墨坩埚内；将石墨坩埚装入中频感应烧结炉中，炉内压力小于103Pa，充入氩气至炉内压力大于4×104Pa；将石墨坩埚加热至2250～2600℃，碳纤维毡的辐射孔处的温度为1900～2100℃，抽气至气压在1×104～2×104Pa，保温0.5～4h，使晶须在碳纤维毡的开孔处通过气-液-固(VLS)机理进行形核生长；将气压充至0.6×105～1×105Pa，随炉冷却至室温，得到黄色、绿色或无色的碳化硅，本发明工艺简单，生产周期短。
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