公开(公告)号：CN112684262B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202011308894.2

申请日：2020-11-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张勇 ,  程珍珍 ,  王迪 ,  唐宇杰 ,  孙利利 ,  郝云鹤 ,  周锦堂 ,  章凯 ,  王睿哲 ,  邓元刚 ,  朱程鹏 ,  赵宇 ,  王振宇 ,  何轩 ,  韩文 ,  杨彬 ,  吴健 ,  耿明昕

IPC: G01R29/08 ,  G01R29/12

Abstract: 本发明公开了一种硅微米柱阵列三电极电离式MEMS电场传感器及制备方法，包括三个自下而上依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面分布着采用深硅刻蚀法制备的硅微米柱阵列的硅基底以及设有小通孔的阴极构成；第二电极由一面有硅微米柱阵列及设有小引出孔的引出极构成；第三电极由内表面设有深槽的收集极构成；三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离。该传感器基于场致发射电离机理，通过检测输出电流，检测电场强度，与现有技术相比，量程宽、分辨率高、准确度高，可检测直流、交流及脉冲电场强度。

公开(公告)号：CN112684262A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011308894.2

申请日：2020-11-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张勇 ,  程珍珍 ,  王迪 ,  唐宇杰 ,  孙利利 ,  郝云鹤 ,  周锦堂 ,  章凯 ,  王睿哲 ,  邓元刚 ,  朱程鹏 ,  赵宇 ,  王振宇 ,  何轩 ,  韩文 ,  杨彬 ,  吴健 ,  耿明昕

IPC: G01R29/08 ,  G01R29/12

Abstract: 本发明公开了一种硅微米柱阵列三电极电离式MEMS电场传感器及制备方法，包括三个自下而上依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面分布着采用深硅刻蚀法制备的硅微米柱阵列的硅基底以及设有小通孔的阴极构成；第二电极由一面有硅微米柱阵列及设有小引出孔的引出极构成；第三电极由内表面设有深槽的收集极构成；三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离。该传感器基于场致发射电离机理，通过检测输出电流，检测电场强度，与现有技术相比，量程宽、分辨率高、准确度高，可检测直流、交流及脉冲电场强度。