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公开(公告)号:CN118428300A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410576712.1
申请日:2024-05-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/367 , G06F115/12 , G06F113/18
Abstract: 本发明公开了一种瞬时剂量率效应PI‑SI的仿真方法、系统与设备,涉及仿真电路技术领域,包括如下步骤:根据系统设计结构划分获取封装电子系统SiP内部各个电源分布网络;提取各个电源分布网络与芯片互联拓扑结构的S参数,检验S参数的正确性,在S参数正确时,将S参数与对应的IBIS模型连接;通过IBIS模型、芯片电源模型构建无辐射情况下的电源‑信号联合仿真模型,并对电源‑信号联合仿真模型添加瞬态光电流;查看各个电源分布网络造成的噪声波形和瞬态光电流的注入波形图,建立剂量率与信号的关系,预估信号的失效阈值。本发明可仿真分析不同电子学系统的电源分布网络,仿真模型容易获取,且避免了复杂的器件参数运算。
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公开(公告)号:CN116401293A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310444729.7
申请日:2023-04-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F16/2458 , G06F16/248 , G16C10/00 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体材料辐射效应多尺度模拟的数据库系统,包括表示层、服务层、处理层和数据存储层;服务层和处理层根据用户的指令检索调取数据存储层中的数据,实现了对质子、中子与γ射线辐射不同半导体材料的初级产物、基于分子动力学模拟的初始缺陷分布以及缺陷长时间演化后的稳定结果的快速检索,并将结果在表示层展示。解决了半导体材料和器件辐射位移损伤效应数据参考少、不集中、关联性差等应用瓶颈问题;其次,通过设置在线绘图单元,对用户上传的多尺度模拟结果进行解析并生成对应图表,用户可以清晰地查看未进行分析的数据所展现的结果并下载至本地,另外,通过设置两种检索方法,大大减少了人工检索多篇文献和查看结果的时间,提高了科研效率。
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公开(公告)号:CN114886779A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210487814.7
申请日:2022-05-06
Applicant: 西安交通大学医学院第一附属医院
Abstract: 本发明属于药片剪切装置技术领域,尤其为一种儿科药片剪切装置,包括盒体,所述盒体接近左端处内部固定具有转动柱,所述转动柱上转动套设有架设板,所述架设板可通过所述转动柱在所述盒体上进行转动,所述转动柱连接在所述架设板的尾端,所述架设板顶部接近所述盒体一处对称固定有一号固定片,两个所述一号固定片之间固定连接具有转轴,所述转轴上转动套设有操作板,所述操作板可通过所述转轴进行转动,本发明设置有固定药片的装置,可以进一步解决手拿药片切除的易掉落的问题,且本装置具有手拿盒,可以进行旋转收纳,使得装置便于携带和保存,本装置结构轻便,实用性较高,价格便宜。
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