-
公开(公告)号：CN107275435A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710453903.9
申请日：2017-06-15
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075
摘要： 本发明公开了一种高增益的紫外雪崩探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上生长有外延层，i型AlyGa1-yN吸收层上设置有N型欧姆接触电极和ITO分离层，ITO分离层上设置有SiO2倍增层，SiO2倍增层设置有Ni/Au肖特基接触层，Ni/Au肖特基接触层上还设置有P型欧姆接触电极；本发明的有益效果是：通过一种全新的高增益的紫外雪崩探测器制作方法，经过精确的膜层结构设计，实现器件击穿电压、响应度、增益因子、暗电流等参数的可调可控，还具有基础的外延片可根据不同的设计指标重复使用的特点。
-
公开(公告)号：CN105449063A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610044270.1
申请日：2016-01-22
申请人： 西安中为光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高紫外LED紫外光纯度的结构，包括Mg掺杂氮化镓层、活性层、高纯度不掺杂氮化镓层、Si掺杂GaN层、缓冲层和衬，其中，所述缓冲层生长在所述衬底上部；所述Si掺杂GaN层生长在所述缓冲层上部；所述活性层生长在所述高纯度不掺杂氮化镓层上部；所述Mg掺杂氮化镓层生长在所述活性层上部。本发明所述提高紫外LED紫外光纯度的结构及其方法通过引入高纯度不掺杂的氮化镓层，降低活性层中Mg元素的浓度，进而降低紫外LED中蓝色光的发光强度，提高紫外LED的紫外光纯度。
-
公开(公告)号：CN104779326A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510187404.0
申请日：2015-04-20
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/005 , H01L33/0075
摘要： 本发明公开了一种GaN外延废片回收的方法，包括下述步骤：步骤二：把所述步骤一中处理的GaN外延废片浸泡到酸溶液或碱溶液中，然后加热酸溶液或碱溶液用来腐蚀GaN外延废片表面；步骤三：把所述步骤二中腐蚀完后的GaN外延废片取出，然后用清洗液清洗GaN外延废片表面。本发明所述GaN外延废片回收的方法不会抛弃大量的GaN外延废片，不仅节省了大量的生产成本，而且不会污染环境，做到了节能环保的作用。
-
公开(公告)号：CN102427102A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110401967.7
申请日：2011-12-06
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明一种消除外延生长位错的方法，直接在传统的蓝宝石、SiC或Si衬底上生长一定厚度的外延层，然后采用等离子辅助的化学气相沉积(PECVD)沉积一定厚度的SiO2或SiN作为掩膜层，然后通过研磨抛光至外延层，并用热酸将表面腐蚀干净，再进行后续生长；利用SiO2掩埋层减少生长层中的穿透位错密度，研磨抛光并进行酸洗后表面没有形成周期性台面和凹槽，而且该方法在二次生长中没有出现侧向外延生长，后续生长不会产生二次位错。
-
公开(公告)号：CN107275435B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710453903.9
申请日：2017-06-15
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/107
摘要： 本发明公开了一种高增益的紫外雪崩探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上生长有外延层，i型AlyGa1‑yN吸收层上设置有N型欧姆接触电极和ITO分离层，ITO分离层上设置有SiO2倍增层，SiO2倍增层设置有Ni/Au肖特基接触层，Ni/Au肖特基接触层上还设置有P型欧姆接触电极；本发明的有益效果是：通过一种全新的高增益的紫外雪崩探测器制作方法，经过精确的膜层结构设计，实现器件击穿电压、响应度、增益因子、暗电流等参数的可调可控，还具有基础的外延片可根据不同的设计指标重复使用的特点。
-
公开(公告)号：CN102591158A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210039478.6
申请日：2012-02-21
申请人： 西安中为光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种精确测量WEE宽度的方法，包括如下步骤：首先，将光刻机挡板设置在需曝光使用的光刻对位标记上；然后，按照放置要求，将光刻对位标记依次曝光放置在晶片边缘；最后，经WEE后，根据WEE分界线和晶片边缘之间的WEE分界线外显影后不存在的图形曝光的布局数据和显影后保存的完整光刻对位标记个数及是否包含不完整光刻对位标记，计算WEE宽度，光刻对位标记数量采用进一法，不足一个完整光刻对位标记的按一个计算；本发明是采用在边缘曝光图形的方法来确认WEE的宽度，用于判断WEE宽度的图形在显微镜下可以观察到，且其尺寸远小于WEE的精度，保证了测试的准确性，另外，本发明的实施不受半导体生产线的条件限制，利用现有资源就可以测定WEE宽度。
-
公开(公告)号：CN102296282A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110260529.3
申请日：2011-09-05
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455
摘要： 一种反向连接提高固态源使用效率的方法，包括以下步骤：步骤1：当源瓶内的固态源剩余量小于50％时，将源瓶放入温度为20～35℃的水浴槽中，当源瓶内压力为750～850torr、源蒸汽流量为300～400sccm的情况下，将源瓶的载气进口、出口上手阀关掉；步骤2：将源瓶的载气进口、出口反向对接，即将源瓶的出口与载气出口相连通，将源瓶的载气进口作为出口与管道相连通，即将正常的低进高出换成高进低出；利用底部载气管所在局部范围内饱和蒸汽压稳定；该方法具有操作简单、不影响外延层的性能、适用范围广和固态源使用率高的特点。
-
公开(公告)号：CN108364909A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810055541.2
申请日：2018-01-19
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/146 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/58
摘要： 本发明公开了一种具有发射和接收光信号功能的芯片及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：S1：在衬底上生长LED外延层形成LED芯片；S2：利用光刻技术和刻蚀技术将LED芯片的部分区域刻蚀至衬底；S3：在衬底上生长Au层形成金焊垫；S4：在金焊垫上焊接光电探测器芯片；S5：生长电极。本发明将光信号的发射和接收功能集成在一颗芯片上，反馈回的光可以按照发光光路原路返回，不用进行二次光路设计，节省了很大的光路设计费用，而且发射和接收光信号功能集成在一个器件上，体积减小，更有利于产品高集成。
-
公开(公告)号：CN104779326B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510187404.0
申请日：2015-04-20
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种GaN外延废片回收的方法，包括下述步骤：步骤二：把所述步骤一中处理的GaN外延废片浸泡到酸溶液或碱溶液中，然后加热酸溶液或碱溶液用来腐蚀GaN外延废片表面；步骤三：把所述步骤二中腐蚀完后的GaN外延废片取出，然后用清洗液清洗GaN外延废片表面。本发明所述GaN外延废片回收的方法不会抛弃大量的GaN外延废片，不仅节省了大量的生产成本，而且不会污染环境，做到了节能环保的作用。
-
公开(公告)号：CN102324451A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110271709.1
申请日：2011-09-15
申请人： 西安中为光电科技有限公司
摘要： 牺牲发光面积在LED芯片上制造ESD保护电路的方法，首先在单个芯片上隔离出ESD保护电路所占的外延片部分，然后使用平面工艺刻蚀掉该隔离出的外延片n GaN层以上部分，最后将芯片上主发光区的P++GaN电极和保护区的n++GaN电极相连接，将芯片上主发光区的n++GaN电极和保护区的P++GaN电极相连接；该方法在不改变外延层结构的基础上牺牲一小部分发光区面积，制造出ESD保护电路，具有微操作性好且不会造成LED芯片局部损坏的优点，制造出的该种ESD保护电路具有较高的工艺兼容性，可以适用于大多数外延层结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.033 秒)
