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公开(公告)号：CN107275435B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710453903.9
申请日：2017-06-15
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/107
摘要： 本发明公开了一种高增益的紫外雪崩探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上生长有外延层，i型AlyGa1‑yN吸收层上设置有N型欧姆接触电极和ITO分离层，ITO分离层上设置有SiO2倍增层，SiO2倍增层设置有Ni/Au肖特基接触层，Ni/Au肖特基接触层上还设置有P型欧姆接触电极；本发明的有益效果是：通过一种全新的高增益的紫外雪崩探测器制作方法，经过精确的膜层结构设计，实现器件击穿电压、响应度、增益因子、暗电流等参数的可调可控，还具有基础的外延片可根据不同的设计指标重复使用的特点。
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公开(公告)号：CN108364909A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810055541.2
申请日：2018-01-19
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/146 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/58
摘要： 本发明公开了一种具有发射和接收光信号功能的芯片及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：S1：在衬底上生长LED外延层形成LED芯片；S2：利用光刻技术和刻蚀技术将LED芯片的部分区域刻蚀至衬底；S3：在衬底上生长Au层形成金焊垫；S4：在金焊垫上焊接光电探测器芯片；S5：生长电极。本发明将光信号的发射和接收功能集成在一颗芯片上，反馈回的光可以按照发光光路原路返回，不用进行二次光路设计，节省了很大的光路设计费用，而且发射和接收光信号功能集成在一个器件上，体积减小，更有利于产品高集成。
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公开(公告)号：CN108364909B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810055541.2
申请日：2018-01-19
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/146 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/58
摘要： 本发明公开了一种具有发射和接收光信号功能的芯片及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：S1：在衬底上生长LED外延层形成LED芯片；S2：利用光刻技术和刻蚀技术将LED芯片的部分区域刻蚀至衬底；S3：在衬底上生长Au层形成金焊垫；S4：在金焊垫上焊接光电探测器芯片；S5：生长电极。本发明将光信号的发射和接收功能集成在一颗芯片上，反馈回的光可以按照发光光路原路返回，不用进行二次光路设计，节省了很大的光路设计费用，而且发射和接收光信号功能集成在一个器件上，体积减小，更有利于产品高集成。
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公开(公告)号：CN106784200B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201710081998.6
申请日：2017-02-15
申请人： 西安中为光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其技术要点是：通过对晶圆进行化学抛光、生长粘附层、贴膜、隐形切割、翻转、背镀金属反射层和裂片，最终制得LED芯片，其中隐形切割时将晶圆和白膜粘接使隐形切割过程中因激光烧灼，蓝宝石衬底气化膨胀产生的杂质不会大面积喷在晶圆背面，只会存在于裂纹中，降低了背面污染，从而降低背镀层脱落几率，通过在蓝宝石衬底上生长粘附层，降低背镀层脱落概率由原先的20%降低至0.5%，部分光会在交界出形成全发射，一定程度上提高LED的出光效率，提升效果在10%左右。这种方法解决了现有隐形切割与背镀工艺中反射层脱落率高，LED发光效率不理想的问题。
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公开(公告)号：CN107275435A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710453903.9
申请日：2017-06-15
申请人： 西安中为光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075
摘要： 本发明公开了一种高增益的紫外雪崩探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上生长有外延层，i型AlyGa1-yN吸收层上设置有N型欧姆接触电极和ITO分离层，ITO分离层上设置有SiO2倍增层，SiO2倍增层设置有Ni/Au肖特基接触层，Ni/Au肖特基接触层上还设置有P型欧姆接触电极；本发明的有益效果是：通过一种全新的高增益的紫外雪崩探测器制作方法，经过精确的膜层结构设计，实现器件击穿电压、响应度、增益因子、暗电流等参数的可调可控，还具有基础的外延片可根据不同的设计指标重复使用的特点。
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公开(公告)号：CN106784200A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710081998.6
申请日：2017-02-15
申请人： 西安中为光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/005 , H01L33/22
摘要： 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其技术要点是：通过对晶圆进行化学抛光、生长粘附层、贴膜、隐形切割、翻转、背镀金属反射层和裂片，最终制得LED芯片，其中隐形切割时将晶圆和白膜粘接使隐形切割过程中因激光烧灼，蓝宝石衬底气化膨胀产生的杂质不会大面积喷在晶圆背面，只会存在于裂纹中，降低了背面污染，从而降低背镀层脱落几率，通过在蓝宝石衬底上生长粘附层，降低背镀层脱落概率由原先的20%降低至0.5%，部分光会在交界出形成全发射，一定程度上提高LED的出光效率，提升效果在10%左右。这种方法解决了现有隐形切割与背镀工艺中反射层脱落率高，LED发光效率不理想的问题。
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