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公开(公告)号：CN117111405B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310978758.1
申请日：2023-08-04
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂的制备及光刻图案化的应用，其由二甲氧基(甲基)(苯并环丁烯基乙烯基)硅烷类线性聚合物、光引发体系和有机溶剂配制形成光敏溶液，通过光敏溶液制备光敏薄膜，即用于光刻图案化的线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂。本发明的光敏体系光固化后所得的图案具有较高的清晰度，通过光/热双交联过程，所得的薄膜具有较高的热稳定性；同时在热处理过程中，未反应的光引发剂会热分解，不会影响薄膜的介电性能；本发明提供的线性聚硅氧烷光敏树脂，具有比较优异的介电性能(10GHz，Dk:2.7，Df：0.002～0.003)、耐热性(T5％:450℃)以及化学稳定性，有望应用于微电子领域。
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公开(公告)号：CN116880126A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310992069.6
申请日：2023-08-08
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光刻图案化的支化型苯并环丁烯基聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂的制备及光刻图案化的应用，由4‑(三甲氧基乙烯基硅基)苯并环丁烯、4‑(二甲氧基乙烯基甲基硅基)苯并环丁烯、4‑(乙氧基乙烯基二甲基硅基)苯并环丁烯三者合成的聚合物以及光引发体系和有机溶剂配制形成光敏溶液，并制备光敏薄膜，即用于光刻图案化的支化型苯并环丁烯基聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂，该光敏树脂能通过光固化使聚合物链中的双键交联而不溶于显影溶液，因此得到边缘整齐、精度较高的图案，通过引入苯并环丁烯基团，通过苯并环丁烯的热交联固化来形成光/热双交联结构，提高了支化型光敏树脂的热稳定性，同时，图案在热处理过程中发生轻微变形。
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公开(公告)号：CN117111405A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310978758.1
申请日：2023-08-04
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂的制备及光刻图案化的应用，其由二甲氧基(甲基)(苯并环丁烯基乙烯基)硅烷类线性聚合物、光引发体系和有机溶剂配制形成光敏溶液，通过光敏溶液制备光敏薄膜，即用于光刻图案化的线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂。本发明的光敏体系光固化后所得的图案具有较高的清晰度，通过光/热双交联过程，所得的薄膜具有较高的热稳定性；同时在热处理过程中，未反应的光引发剂会热分解，不会影响薄膜的介电性能；本发明提供的线性聚硅氧烷光敏树脂，具有比较优异的介电性能(10GHz，Dk:2.7，Df：0.002～0.003)、耐热性(T5％:450℃)以及化学稳定性，有望应用于微电子领域。
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