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公开(公告)号：CN116426875B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310411961.0
申请日：2023-04-17
Applicant: 西南大学 , 深圳森丰真空镀膜有限公司
Abstract: 本发明涉及表面防腐涂层技术领域，具体公开了一种AlN/Si/SiN/AlSiN/AlN/Al多层梯度结构涂层的制备方法和涂层，包括在基底表面依次沉积Al层、AlN层、AlSiN层、SiN层、Si层以及AlN层的步骤，还包括在沉积所述AlN层和/或所述AlSiN层的步骤之前，分别进行晶体生长调控处理的步骤。本发明提供的制备方法及涂层，形成了Al、Si元素双相梯度多层结构涂层，元素的梯度效应可以弱化腐蚀电荷的传输动力，提升涂层的耐腐蚀性能，同时采用晶体生长调控处理，抑制了AlSiN/AlN/Al层间的连续柱状生长缺陷，非连续生长结构封堵了腐蚀离子的渗入路径，进而极大提升了涂层的防腐性能。
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公开(公告)号：CN113151794A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110337718.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明涉及镁合金表面涂层技术领域，具体公开了一种镁合金表面增硬耐磨防腐彩色涂层及其制备工艺，本发明提供的镁合金表面增硬耐磨防腐彩色涂层，所述涂层为多层结构，包括在镁合金表面依次沉积的增硬耐腐蚀底层、反射层、折射层和透明耐磨保护顶层，通过利用多层结构的协同效应与薄膜干涉原理，在镁合金表面形成结合力强、硬度高、耐磨损、耐腐蚀、颜色均匀且重复性好的彩色涂层。
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公开(公告)号：CN116426875A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310411961.0
申请日：2023-04-17
Applicant: 西南大学 , 深圳森丰真空镀膜有限公司
Abstract: 本发明涉及表面防腐涂层技术领域，具体公开了一种AlN/Si/SiN/AlSiN/AlN/Al多层梯度结构涂层的制备方法和涂层，包括在基底表面依次沉积Al层、AlN层、AlSiN层、SiN层、Si层以及AlN层的步骤，还包括在沉积所述AlN层和/或所述AlSiN层的步骤之前，分别进行晶体生长调控处理的步骤。本发明提供的制备方法及涂层，形成了Al、Si元素双相梯度多层结构涂层，元素的梯度效应可以弱化腐蚀电荷的传输动力，提升涂层的耐腐蚀性能，同时采用晶体生长调控处理，抑制了AlSiN/AlN/Al层间的连续柱状生长缺陷，非连续生长结构封堵了腐蚀离子的渗入路径，进而极大提升了涂层的防腐性能。
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公开(公告)号：CN113151794B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110337718.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明涉及镁合金表面涂层技术领域，具体公开了一种镁合金表面增硬耐磨防腐彩色涂层及其制备工艺，本发明提供的镁合金表面增硬耐磨防腐彩色涂层，所述涂层为多层结构，包括在镁合金表面依次沉积的增硬耐腐蚀底层、反射层、折射层和透明耐磨保护顶层，通过利用多层结构的协同效应与薄膜干涉原理，在镁合金表面形成结合力强、硬度高、耐磨损、耐腐蚀、颜色均匀且重复性好的彩色涂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115411285A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211226264.X
申请日：2022-10-09
Applicant: 西南大学
IPC: H01M8/0202 , H01M8/0245
Abstract: 一种含有防腐薄膜的燃料电池双极板及其制备方法。本发明提供了一种金属钛双极板，包括钛基板和复合在钛基板上的薄膜；所述薄膜包括：复合在所述钛基板上的钛底层；复合在所述钛层上的铌钛合金过渡层；复合在所述铌钛合金过渡层上的氮化铌层。本发明特别设计了一种含有特定结构和组成的防腐涂层的燃料电池金属钛双极板。本发明提供的燃料电池双极板的表面涂层晶粒细小，在燃料电池的工作环境下的耐腐蚀性性能很优异；而且本发明的燃料电池双极板表面薄膜均匀致密，薄膜与基体的结合好、不易脱落；同时本发明提供的制备方法解决了薄膜与基体材料的导电性、防腐性以及结合力的问题，所制得的涂层表面与截面形貌致密，工艺便捷。
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公开(公告)号：CN113046714B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110275815.0
申请日：2021-03-15
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明涉及高温涂层材料技术领域，具体公开了一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法及纳米晶MoSi2涂层，MoSi2涂层的制备方法包括以下步骤：将基底置于磁控溅射系统的腔室中，抽真空后通入惰性气体，加热基底至600‑800℃，同时开启钼靶和硅靶的电源进行共沉积，得到MoSi2涂层；其中，钼靶为1个，硅靶为2个，共沉积过程中，控制钼靶和硅靶的溅射速率相同。本发明的纳米晶MoSi2涂层的制备方法简单，能够在基底上原位合成化学计量比的MoSi2涂层，不需要再经过退火处理，能够避免在退火过程中发生晶粒变大以及膜基结合力变弱等问题，同时避免在涂层中引入其它非化学计量比的组成相。
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公开(公告)号：CN113046714A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110275815.0
申请日：2021-03-15
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明涉及高温涂层材料技术领域，具体公开了一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法及纳米晶MoSi2涂层，MoSi2涂层的制备方法包括以下步骤：将基底置于磁控溅射系统的腔室中，抽真空后通入惰性气体，加热基底至600‑800℃，同时开启钼靶和硅靶的电源进行共沉积，得到MoSi2涂层；其中，钼靶为1个，硅靶为2个，共沉积过程中，控制钼靶和硅靶的溅射速率相同。本发明的纳米晶MoSi2涂层的制备方法简单，能够在基底上原位合成化学计量比的MoSi2涂层，不需要再经过退火处理，能够避免在退火过程中发生晶粒变大以及膜基结合力变弱等问题，同时避免在涂层中引入其它非化学计量比的组成相。
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公开(公告)号：CN113430491A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110722849.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明涉及材料表面改性的技术领域，具体公开了一种表面抗氧化涂层及其制备方法与表面改性钛合金，本发明的表面抗氧化涂层采用Si/MoSi2复合涂层，其中MoSi2的物相结构为C11b型MoSi2，具有优异的高温稳定性；而Si元素以单质的形式存在，可以弥补MoSi2中Si元素扩散速度较慢的缺点，有利于在涂层表面迅速形成SiO2保护层；同时，控制Si和MoSi2物质的量之比为(1～1.5):1，能够保证足够的Si元素与O2反应，促进连续致密的SiO2保护层的形成，阻止O2向内部扩散而导致MOO3氧化相的生成，从而有效抑制MoSi2涂层在500～800℃因氧化而造成的“PESTING”粉化现象。
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公开(公告)号：CN113430491B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110722849.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明涉及材料表面改性的技术领域，具体公开了一种表面抗氧化涂层及其制备方法与表面改性钛合金，本发明的表面抗氧化涂层采用Si/MoSi2复合涂层，其中MoSi2的物相结构为C11b型MoSi2，具有优异的高温稳定性；而Si元素以单质的形式存在，可以弥补MoSi2中Si元素扩散速度较慢的缺点，有利于在涂层表面迅速形成SiO2保护层；同时，控制Si和MoSi2物质的量之比为(1～1.5):1，能够保证足够的Si元素与O2反应，促进连续致密的SiO2保护层的形成，阻止O2向内部扩散而导致MOO3氧化相的生成，从而有效抑制MoSi2涂层在500～800℃因氧化而造成的“PESTING”粉化现象。
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