公开(公告)号：CN113430491B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202110722849.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 西南大学

Inventor： 李凤吉 ,  余修晗 ,  张善勇 ,  王锦标

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及材料表面改性的技术领域，具体公开了一种表面抗氧化涂层及其制备方法与表面改性钛合金，本发明的表面抗氧化涂层采用Si/MoSi2复合涂层，其中MoSi2的物相结构为C11b型MoSi2，具有优异的高温稳定性；而Si元素以单质的形式存在，可以弥补MoSi2中Si元素扩散速度较慢的缺点，有利于在涂层表面迅速形成SiO2保护层；同时，控制Si和MoSi2物质的量之比为(1～1.5):1，能够保证足够的Si元素与O2反应，促进连续致密的SiO2保护层的形成，阻止O2向内部扩散而导致MOO3氧化相的生成，从而有效抑制MoSi2涂层在500～800℃因氧化而造成的“PESTING”粉化现象。

公开(公告)号：CN113430491A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110722849.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 西南大学

Inventor： 李凤吉 ,  余修晗 ,  张善勇 ,  王锦标

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及材料表面改性的技术领域，具体公开了一种表面抗氧化涂层及其制备方法与表面改性钛合金，本发明的表面抗氧化涂层采用Si/MoSi2复合涂层，其中MoSi2的物相结构为C11b型MoSi2，具有优异的高温稳定性；而Si元素以单质的形式存在，可以弥补MoSi2中Si元素扩散速度较慢的缺点，有利于在涂层表面迅速形成SiO2保护层；同时，控制Si和MoSi2物质的量之比为(1～1.5):1，能够保证足够的Si元素与O2反应，促进连续致密的SiO2保护层的形成，阻止O2向内部扩散而导致MOO3氧化相的生成，从而有效抑制MoSi2涂层在500～800℃因氧化而造成的“PESTING”粉化现象。