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公开(公告)号：CN118600368A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410573906.6
申请日：2024-05-10
IPC: C23C14/06 , C23C14/35 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A61F2/04 , A61F2/00 , A61L31/02 , A61L31/08 , A61L31/16
Abstract: 本发明公开了一种利用热效应赋予胆道支架抗菌抗癌性能的薄膜的制备方法，具体为：原料准备：胆道支架、过渡族金属靶材、高纯度氮气、高纯度氩气；将金属胆道支架中心轴线与过渡族金属靶材表面形成夹角，夹角的大小为60°～85°；通入高纯氩气和氮气，采用磁控溅射技术进行薄膜沉积，放电功率密度为2W/cm2～5W/cm2，薄膜厚度为20nm～120nm；沉积过程结束并充分冷却后可得到由岛状结构过渡族金属氮化物的纳米阵列所组成的薄膜。本发明制备出具有岛状结构过渡族金属氮化物纳米颗粒的薄膜并由此赋予胆道支架光热抗癌、光热抗菌的能力。
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公开(公告)号：CN117024149B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202310741945.8
申请日：2023-06-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/563 , G21F1/08 , G21F1/06 , G21F1/12 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种中子/γ射线协同防护的B4C/Al复合材料制备方法，具体为：将不同质量比的Er2O3和B4C的混合粉末加入PVA和RO水进行球磨混合，利用压力机在373MPa的压力下制备生坯，并在管式炉中通入Ar作为保护气体，经高温烧结后得到预制体，最后包覆纯Al颗粒在管式炉中经1200℃烧结后得到B4C/Al复合材料。本发明制备的新型B4C/Al复合材料同时具有中子和γ射线防护性能，可以提高材料的利用率，且在核防护领域应用更广泛。
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公开(公告)号：CN116083870B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310363542.4
申请日：2023-04-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及薄膜材料技术领域，公开了一种三相纳米复合高熵薄膜及其制备方法和应用，所述的制备方法包括基材前处理及双靶磁控溅射共沉积两个步骤，所制备的薄膜为非晶高熵合金基体相/碳化物陶瓷相/非晶碳相的复合结构，该薄膜中高熵合金基体相的存在使其具有优异的韧性，纳米晶陶瓷相使其具有优异的强度，非晶碳相则提供优异的自润滑能力，在摩擦过程中的固体润滑机制主要为氧化物与非晶碳混合的界面润滑膜提供减摩性能，本发明公开的三相纳米复合薄膜具有优异的强韧性与自润滑性能；特别适合用于在极端工况下作业的机械零部件的防护。
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公开(公告)号：CN113235051A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110512506.0
申请日：2021-05-11
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米双相高熵合金薄膜的制备方法，该制备方法包括基材前处理及高功率脉冲磁控溅射沉积两个步骤。采用高功率脉冲磁控溅射技术，以包括金属Cu在内的五种金属元素的拼接靶为靶材，以高纯Ar为工作气体，对前处理后的基体施加负偏压，对拼接靶施加靶电压，在基体表面沉积得到包含FCC基体相和富铜BCC纳米相的纳米双相高熵合金薄膜。该薄膜既体现了高熵合金薄膜高的固溶强化的特点，同时通过富铜相的析出引入大量相界面，使其具有界面强化机制。其硬度最高达13GPa，并且由于具有优异的韧性，对在高承载、高摩擦环境下作业的基体能起到良好的防护作用，具有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN110129748A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910393873.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有抗菌抗凝血抗平滑肌增生的心血管医疗器械表面Ti-Cu-N涂层的制备方法；涂层中Cu的掺杂量为4-50at％，厚度为0.02微米；采用在真空中形成Cu、Ti、N离子和原子的方法在心血管医疗器械表面制备Ti-Cu-N涂层，心血管医疗器械为金属及合金或者高聚物中的一种；可以采用磁控溅射方法制备涂层，其溅射靶材为Ti-Cu镶嵌靶、Ti和Cu双靶、Ti-Cu合金靶中的一种。也可以采用金属阴极弧源沉积的方法制备涂层，其金属阴极靶材为Ti-Cu镶嵌靶、Ti-Cu合金靶中的一种。本发明制备的Ti-Cu-N涂层释放Cu离子及催化释放NO，具有抗菌、抗凝血和抗平滑肌增生的作用；用于心血管医疗器械可解决医疗器械和人工器官植入后的细菌感染、血栓形成、再狭窄增生的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435500B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610867923.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公布了种用于平面圆形磁控溅射阴极靶的磁场源,该磁场源是由若干组串联的平行且同轴的平面径向螺旋线圈沿轴向层叠而成,每组平面径向螺旋线圈由承载电流不低于80A的漆包线沿同样的方向紧密绕制而成,每组平面径向螺旋线圈的半径和匝数相等。当通以电流时,该磁场源能够在平面圆形溅射靶表面产生沿径向辐射状且在很大范围内均匀分布的水平磁场分量。相比于传统磁控溅射靶的磁场源设计,本发明能够显著提高溅射靶表面“跑道环”面积,进而显著提高溅射靶材的利用率和薄膜制备的均匀性。
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公开(公告)号：CN105603286B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510976318.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在体内环境中具有磨损自修复功能的陶瓷生物材料制备方法，原料质量百分比为：氧化锆粉(或者氧化铝粉)90％～99％、金属粉1％～10％，原料放入行星式球磨机中湿法混合均匀并干燥后，在1100℃‑1800℃下进行惰性气体保护热压烧结0.5‑3小时即可。制得的陶瓷生物材料其中金属掺杂质量比例在1％‑10％，本发明生物材料在人体内作为摩擦配副(例如人工关节、人工椎间盘等)服役时，由于摩擦磨损及腐蚀，会在摩擦界面形成一层蛋白生物膜，随着摩擦的不断进行，该蛋白生物膜可以转变成石墨层，可有效地降低陶瓷生物材料摩擦、阻止材料的磨损。实现对陶瓷生物材料的磨损修复，使陶瓷生物材料在人体内具有良好的磨损自修复功能。
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公开(公告)号：CN103360122B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310250045.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种提高陶瓷工件表面金属化表面性能的方法，运用高功率脉冲磁控溅射技术在陶瓷工件表面得到表面制备膜基结合力好、致密度高、耐腐蚀性强的金属化层。本发明方法工艺环保，可控性好、镀出的膜层能符合欧盟RoHS标准，且可根据需要得到不同材料的金属化层，溅射材料的适应性广，不受材料熔点高低的局限，溅射材料的高离化率可大幅度提高金属化层膜基结合强度、致密度和均匀性，改善陶瓷工件电学及耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN103924202A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410133352.4
申请日：2014-04-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及一种金属支架表面改性方法，属于金属表面改性技术领域。该方法有效利用高功率脉冲磁控溅射技术在金属支架表面沉积钛/氧化钛薄膜。其步骤为：首先，将金属支架放入高功率脉冲磁控溅射设备的真空室中，真空室抽真空至0.5×10-3Pa～2×10-3Pa；向真空室内通入氩气，溅射清洗金属支架及靶材；向真空室内通入氩气，通过调节溅射电压幅值、频率、脉宽、溅射气压及基体偏压等参数，运用高功率脉冲磁控溅射技术在金属支架表面制备高结合力的钛过渡层；最后，向真空室内通入氩气和氧气，通过调节溅射电压幅值、频率、脉宽、溅射气压及基体偏压等参数，在钛过渡层上制备结合紧密的氧化钛薄膜。主要用于金属支架的表面改性。
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公开(公告)号：CN103360122A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310250045.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种提高陶瓷工件表面金属化表面性能的方法，运用高功率脉冲磁控溅射技术在陶瓷工件表面得到表面制备膜基结合力好、致密度高、耐腐蚀性强的金属化层。本发明方法工艺环保，可控性好、镀出的膜层能符合欧盟RoHS标准，且可根据需要得到不同材料的金属化层，溅射材料的适应性广，不受材料熔点高低的局限，溅射材料的高离化率可大幅度提高金属化层膜基结合强度、致密度和均匀性，改善陶瓷工件电学及耐腐蚀性。
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