公开(公告)号：CN111785833A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010684121.8

申请日：2020-07-16

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 孙柏 ,  李小霞 ,  李红林 ,  曾雨双 ,  付国强 ,  夏玉东 ,  孟凡彬

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋忆阻器件制备方法，包括以下步骤：S1、制备螺旋状的GO材料；S2、制备旋涂液；S3、清洗衬底：分别用去离子水、乙醇、去离子水超声清洗衬底各25～30min，每次清洗后在真空干燥箱中烘干衬底；S4、旋涂薄膜：将混合旋涂液滴于清洗好的的衬底上；S5、制备上电极：在旋涂好的薄膜表面沉积金属上电极，获得基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件。本发明提供一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件制备方法，可操作性强，适于产业化生产；有望为将来开发新型多功能电子器件，为生物医学提供存储应用，为实现更优异的性能的电子器件提供新的途径。

公开(公告)号：CN109616571A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811343481.0

申请日：2018-11-13

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 孙柏 ,  曾雨双 ,  付国强 ,  李冰 ,  陈元正 ,  赵勇

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种胶原蛋白忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1、准备自制胶原蛋白粉；S2、将胶原蛋白粉加入高氯酸钠电解质溶液(NC-009)中，溶解后制备成胶原蛋白胶体；S3、采用氧化铟锡透明导电玻璃作为基片，将胶原蛋白胶体旋涂在基片上作为介电层；S4、将步骤S3制备的带介电层的基片放置于35-40℃的干燥箱里进行干燥处理，干燥时间为12-15小时；S5、通过真空沉积法在介电层的表面沉积上电极，从而获得结构为上电极/胶原蛋白/氧化铟锡的忆阻器。该制备方法能够实现边角料的二次利用，对环境友好且节省能源，采用本方法制备成的忆阻器件具有较好的室温忆阻特性，能够用于制备忆阻存储器的原始模型，可实现较高比率的开关性能，且制造成本低。