公开(公告)号：CN110190184A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910486478.2

申请日：2019-06-05

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 孙柏 ,  李小霞 ,  付国强 ,  夏玉东 ,  赵勇

IPC: H01L45/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种使用MXenes纳米材料作为介电层的忆阻器件制备方法，包括以下步骤：S1、制备MXenes纳米材料，包括以下子步骤：S11、合成Ti3C2粉末；S12、合成NS-Ti3C2粉末；S2、清洗衬底：将基片清洗干净并吹干；S3、旋涂Mxenes薄膜：将制定的NS-Ti3C2粉末取一定量，溶于质量分数为20％～25％的硝酸溶液中，将混合溶液旋涂于所清洗的衬底表面，在衬底表面形成一层Mxenes薄膜，将旋涂后的衬底放置在60℃左右的真空烘箱烘干；S4、制备上电极：在沉积好的Mxenes薄膜表面沉积上电极，获得基于MXenes纳米材料作为介电层的忆阻器件。本发明的忆阻器件制备方法可操作性强，适于产业化生产；制得的器件结构简单、性能优异、稳定、重复性好，所制备的忆阻器件，表现出优异的忆阻性能。

公开(公告)号：CN111785833A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010684121.8

申请日：2020-07-16

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 孙柏 ,  李小霞 ,  李红林 ,  曾雨双 ,  付国强 ,  夏玉东 ,  孟凡彬

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋忆阻器件制备方法，包括以下步骤：S1、制备螺旋状的GO材料；S2、制备旋涂液；S3、清洗衬底：分别用去离子水、乙醇、去离子水超声清洗衬底各25～30min，每次清洗后在真空干燥箱中烘干衬底；S4、旋涂薄膜：将混合旋涂液滴于清洗好的的衬底上；S5、制备上电极：在旋涂好的薄膜表面沉积金属上电极，获得基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件。本发明提供一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件制备方法，可操作性强，适于产业化生产；有望为将来开发新型多功能电子器件，为生物医学提供存储应用，为实现更优异的性能的电子器件提供新的途径。