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公开(公告)号：CN113675621B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110954542.2
申请日：2021-08-19
Applicant: 西北核技术研究所
Inventor： 谢佳玲 , 乔汉青 , 易超龙 , 方旭 , 石一平 , 樊亚军 , 夏文锋 , 朱郁丰 , 石磊 , 卢彦雷 , 张兴家 , 王翔宇 , 刘启晨 , 张冬晓 , 蒋灯 , 陈昌华
Abstract: 本发明公开了一种加载电流环的紧耦合阵列天线及天线单元。该阵列天线包括按照阵列排布的若干个天线单元，每相邻两个天线单元的E面之间形成紧耦合机制，确保两个相邻天线单元的电流幅度趋于恒定，相位趋于平滑渐变，相当于借用了邻近单元结构扩展了本单元的电长度，使阵列天线在低频段具有良好的匹配特性，实现以小尺寸辐射低频，同时每个天线单元的辐射主体部分与地板之间通过接地带和巴伦连接，从而构成电流环，电流环将未通过口面辐射出去的电流利用起来形成磁振子，与天线本身的电振子构成互补，不仅能消除谐振，而且能进一步增强辐射能力。
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公开(公告)号：CN115693074A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211417916.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明属于电磁场与微波技术领域，具体为一种紧凑型超宽带大尺寸同轴功率分配器，以克服现有超宽带大尺寸同轴功率分配器，在低特征阻抗同轴输入的情况下，传输效率与波形保真度较低的问题。本发明通过改善主路与支路交汇结构，将各条支路导体的外导体与主路导体外导体平滑过渡一体连接，各条支路导体的内导体与主路导体内导体平滑过渡一体连接，同时在在支路与主路交叉处插入低介电常数介质块，消除输入主路末端与支路交汇处出现的较强谐振，使得同轴功率分配器能够在低阻抗大尺寸的情况下，实现冲激脉冲高效率高保真度功率分配。
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公开(公告)号：CN113675621A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110954542.2
申请日：2021-08-19
Applicant: 西北核技术研究所
Inventor： 谢佳玲 , 乔汉青 , 易超龙 , 方旭 , 石一平 , 樊亚军 , 夏文锋 , 朱郁丰 , 石磊 , 卢彦雷 , 张兴家 , 王翔宇 , 刘启晨 , 张冬晓 , 蒋灯 , 陈昌华
Abstract: 本发明公开了一种加载电流环的紧耦合阵列天线及天线单元。该阵列天线包括按照阵列排布的若干个天线单元，每相邻两个天线单元的E面之间形成紧耦合机制，确保两个相邻天线单元的电流幅度趋于恒定，相位趋于平滑渐变，相当于借用了邻近单元结构扩展了本单元的电长度，使阵列天线在低频段具有良好的匹配特性，实现以小尺寸辐射低频，同时每个天线单元的辐射主体部分与地板之间通过接地带连接，从而构成电流环，电流环将未通过口面辐射出去的电流利用起来形成磁振子，与天线本身的电振子构成互补，不仅能消除发射，而且能进一步增强辐射能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107238784A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710458208.1
申请日：2017-06-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 鉴于对HPM源中的强电磁场真空击穿问题研究的必要性和击穿机理研究的困难，本发明提供了一种测试腔、HPM传输波导击穿实验装置以及利用该装置研究击穿问题的方法。其中测试腔包括两个相同的反射腔；反射腔的内腔为圆筒状，反射腔的半径ra和宽度la满足当测试腔内注入TM01模式的电磁波时，反射腔内激励起的电磁波为TM020模式；沿反射腔轴向方向，反射腔内电场分布非对称，反射腔两侧场强幅值差至少为300kV/cm；两个反射腔通过第一直波导相连，两个反射腔之间的距离lc为15‑25mm；两个反射腔的自由端分别连接有长度均大于50mm的第二直波导和第三直波导；第一、第二和第三直波导均为圆波导。
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公开(公告)号：CN104393372B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410632331.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/08
Abstract: 本发明公开一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法，所述方法包括：根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点，确定磁场的回旋频率，二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定；根据磁场的回旋频率，在介质表面施加磁场，介质表面为周期性介质表面，磁场满足：磁场的磁力线平行；磁场的回旋频率在预设范围内均匀；磁场的方向垂直于横磁电磁场模式的法向电场方向、平行于横磁电磁场模式的切向电场方向以及平行于介质表面。本发明的方法通过采用周期性介质表面，并在周期性介质表面施加磁场的手段，使得在不同电场条件下，本发明的方法都能够对介质表面二次电子的倍增起到一定的抑制效果，并且随着电场场强的提高，抑制效果更好。
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公开(公告)号：CN119092535A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411072154.1
申请日：2024-08-06
IPC: H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了双注入雪崩晶体管及其制备方法，能解决现有雪崩晶体管因需维持高场强碰撞电离区，导致其导通压降和损耗较高，及重频运行下导通损耗造成的温升会影响其性能的问题。该晶体管包括集电区n+衬底层、集电区n0外延层、p型基区层、n+发射区层、多个p+场环，及设在集电区n+衬底层与集电区n0外延层之间的集电区p+注入层，集电区n0外延层顶部设有多个第一环槽，p+场环设在第一环槽内，其顶部与集电区n0外延层顶部平齐。集电区p+注入层的p+掺杂浓度大于集电区n+衬底层的n+掺杂浓度，n+发射区层的n+掺杂浓度大于p型基区层的p型掺杂浓度，n+发射区层的n+掺杂浓度和p+场环的p+掺杂浓度均与集电区n+衬底层的n+掺杂浓度为同一数量级。
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公开(公告)号：CN107238784B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710458208.1
申请日：2017-06-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 鉴于对HPM源中的强电磁场真空击穿问题研究的必要性和击穿机理研究的困难，本发明提供了一种测试腔、HPM传输波导击穿实验装置以及利用该装置研究击穿问题的方法。其中测试腔包括两个相同的反射腔；反射腔的内腔为圆筒状，反射腔的半径ra和宽度la满足当测试腔内注入TM01模式的电磁波时，反射腔内激励起的电磁波为TM020模式；沿反射腔轴向方向，反射腔内电场分布非对称，反射腔两侧场强幅值差至少为300kV/cm；两个反射腔通过第一直波导相连，两个反射腔之间的距离lc为15‑25mm；两个反射腔的自由端分别连接有长度均大于50mm的第二直波导和第三直波导；第一、第二和第三直波导均为圆波导。
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公开(公告)号：CN104393372A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410632331.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/08
Abstract: 本发明公开一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法，所述方法包括：根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点，确定磁场的回旋频率，二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定；根据磁场的回旋频率，在介质表面施加磁场，介质表面为周期性介质表面，磁场满足：磁场的磁力线平行；磁场的回旋频率在预设范围内均匀；磁场的方向垂直于横磁电磁场模式的法向电场方向、平行于横磁电磁场模式的切向电场方向以及平行于介质表面。本发明的方法通过采用周期性介质表面，并在周期性介质表面施加磁场的手段，使得在不同电场条件下，本发明的方法都能够对介质表面二次电子的倍增起到一定的抑制效果，并且随着电场场强的提高，抑制效果更好。
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