-
公开(公告)号：CN117491829B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202311489311.4
申请日：2023-11-10
申请人： 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种微通道板输出电子弥散斑测试方法与系统，该测试系统包括依次设置的光源、光电阴极、测试夹具、荧光屏、相机及计算机系统。测试夹具夹持微通道板，对入射光电子电子倍增后，出射电子在电场作用下飞向荧光屏，在荧光屏上投射形成弥散圆斑；采集弥散斑图像后进行图形处理获得电子径向偏移量；在微通道板输出面与荧光屏之间设有调节垫圈，用于调节输出面与荧光屏的间距。在输入面放置具有多个通孔金属薄片，实现输入电子束斑数量和直径控制并通过金属压片进行加固。本发明的测试系统可通过改变微通道板生产工艺，或微通道板与荧光屏之间距离、电压、测试夹具的孔径等，测试得出弥散斑直径的对比，从而测试微通道板分辨力的变化。
-
公开(公告)号：CN114878997A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210322059.7
申请日：2022-03-29
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开的硅光电倍增管光敏区有效填充因子的测量方法，包括将硅光电倍增管放在电磁屏蔽盒内，装在精密位移台上；通过显微镜中针孔透光片使皮秒激光束在硅光电倍增管的表面聚焦成光斑；通过稳压电源向硅光电倍增管供电，输出的雪崩脉冲信号先经过高速低噪声放大器进行信号放大，再输入数字示波器来观察雪崩脉冲波形；控制精密位移台移动，通过0.5倍光子等效脉冲的计数率随光斑位置的变化，得到G‑APD单元每个位置的脉冲计数率，根据随位置变化的脉冲计数率的二维数据，采用判据算法计算得到硅光电倍增管的有效填充因子。本发明为SiPM的PDE的限制因素提供了一种测量判据，有利于促进SiPM的PDE参数的提升。
-
公开(公告)号：CN111090028B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201911292186.1
申请日：2019-12-16
申请人： 北方夜视技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种用于双片微通道板叠加测试的装置和方法，测试装置包括真空泵组、电子/离子源、双片叠加的微通道板测试用管壳和信号检测系统。本发明可对双片叠加结构的微通道板进行测试，控制两片微通道板之间的距离，实现两片微通道板分别进行电压调控，微通道板安装和取出均比较便捷并且可以减少在测试过程中对微通道板的损伤，可以简便的转换两片微通道板的相对位置，无需重新安装微通道板。
-
公开(公告)号：CN112557859A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011351944.5
申请日：2020-11-27
申请人： 西安工业大学
发明人： 董宽
IPC分类号： G01R31/25
摘要： 本发明公开了一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，包括以下步骤：A：将硅光电倍增管放置于测试台上电路板上，电路板上设有用于决定硅光电倍增管位置的定位块，硅光电倍增管的导电端与电路板上的导电片紧密接触；B：通过高压电缆将高电压输入到硅光电倍增管电压加载电极，并且通过同轴电缆与硅光电倍增管的阳极引出端连接。本发明通过具备操作简单，利于对输入电压进行控制，利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，测试精准度高的优点，解决了现有的硅光电倍增管测试方法操作繁琐，不利于对输入电压进行控制，不利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，使得测试精准度低，不利于测试数据分析的问题。
-
-
公开(公告)号：CN108376678B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810095540.0
申请日：2018-01-31
申请人： 昆山国显光电有限公司
发明人： 牛佳生
IPC分类号： H01L23/544 , H01L51/52 , G01R31/25
摘要： 本发明的实施例公开了一种OLED面板以及检测阴极层偏位的方法。该OLED面板，包括：显示区域；检测区域，位于显示区域的外围；检测端子组，位于检测区域，检测端子组包括多组检测端子，各组检测端子均包括朝向显示区域的检测末端，不同组检测端子的检测末端与所述显示区域的距离不同；阴极层，位于显示区域并延伸至所述检测区域。与现有技术相比，本发明实施例中的OLED面板以及检测阴层偏位的方法，通过在OLED面板的显示区之外设置检测区域，在检测区域内设置与显示区距离不同的多组检测端子，通过确定阴极层与那些检测端子连接来确定阴极层在OLED面板中的位置，进而确定阴极层是否发生偏位，防止阴极层偏位导致OLED面板无法正常使用。
-
公开(公告)号：CN108376678A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810095540.0
申请日：2018-01-31
申请人： 昆山国显光电有限公司
发明人： 牛佳生
IPC分类号： H01L23/544 , H01L51/52 , G01R31/25
摘要： 本发明的实施例公开了一种OLED面板以及检测阴极层偏位的方法。该OLED面板，包括：显示区域；检测区域，位于显示区域的外围；检测端子组，位于检测区域，检测端子组包括多组检测端子，各组检测端子均包括朝向显示区域的检测末端，不同组检测端子的检测末端与所述显示区域的距离不同；阴极层，位于显示区域并延伸至所述检测区域。与现有技术相比，本发明实施例中的OLED面板以及检测阴层偏位的方法，通过在OLED面板的显示区之外设置检测区域，在检测区域内设置与显示区距离不同的多组检测端子，通过确定阴极层与那些检测端子连接来确定阴极层在OLED面板中的位置，进而确定阴极层是否发生偏位，防止阴极层偏位导致OLED面板无法正常使用。
-
公开(公告)号：CN103364701B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210090650.0
申请日：2012-03-30
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： G01R31/25
摘要： 本发明公开了一种微波真空器件中电子注通过率的测量方法。本方法通过测量电真空器件管体冷却水的热量变化、电子注电压波形和电子注总电流的方式来计算得到该器件的电子注通过率。该方法简单易行，通过外部功率校准系统等手段消除各种测量误差，准确度较高。采用该方法后可避免在器件的收集极部件处使用机械强度较低的陶瓷材料，从而降低制管难度，提高成品率。
-
公开(公告)号：CN101706549B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910082794.X
申请日：2009-04-29
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： G01R31/25
摘要： 本发明公开了一种预测多注速调管存储故障的方法，涉及电真空器件技术，是对存放40～45天的无离子泵多注速调管的阴极发射特性进行测量，按取样时间间隔15秒记录初始3分钟内阴极发射电流值，绘出阴极发射电流值随时间变化的曲线，若阴极发射电流值随时间的变化曲线出现先下降而后上升的现象，并且下降的比例超过额定值的10％，则可预测该器件经过半年以上的存放后，出现存储故障的概率大于60％。本发明方法适合不带有离子泵的多注速调管，也可推广到无离子泵速调管、无离子泵行波管等其他无离子泵微波电真空器件。
-
公开(公告)号：CN101369505A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710044828.7
申请日：2007-08-13
发明人： 项敏
CPC分类号： Y02W30/828
摘要： 本发明涉及CRT显示器，特别是一种CRT显示器的显像管老化检测和激活方法。它的步骤是：观察显像管各极电压正常的情况下，是否存在显像管亮度不高，开大亮度和对比度时图像绿色有拖尾现象；若是，则拆开显示器的外壳，并拔掉显像管的管座，给其灯丝加上额定电压，3～6分钟后用机械万用表1K挡的黑表笔接调制极，红表笔分别接红、绿、蓝三个阴极；当测试结果阻植在5～10K之间时，给灯丝加上8V～9V的电压，110V电压可利用电视机本身的开关电源电压代替，通电3～8分钟，10分钟后再激活一次，显像管即恢复正常。本方法不但降低了维护成本，而且简化了维修操作步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
108 条记录 (耗时 0.016 秒)
